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        賽普拉斯向UMC授權55納米嵌入式閃存技術

        —— 高性價比的SONOS嵌入式非易失性存儲器能為下一代智能卡、微控制器和物聯網應用
        作者: 時間:2014-07-15 來源:電子產品世界 收藏

          嵌入式非易失性存儲解決方案領導者半導體公司與全球領先的半導體代工廠聯華電子公司(紐交所代號 , 臺灣證券交易所代號 TWSE: 2303)日前聯合宣布,獲得了(氧化硅氮氧化硅)嵌入式閃存的知識產權(IP)的使用權,用于其55納米工藝技術節點。技術能更方便地集成非易失性存儲單元,同時具有無與倫比的產能擴充能力,以適應未來需要。主要的應用領域包括可穿戴設備、物聯網(IoT)應用、微控制器和邏輯主導(logic-dominated)的產品。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/249732.htm

          賽普拉斯的55納米嵌入式非易失性存儲器(NVM)工藝與其他嵌入式NVM方案相比具有顯著的優勢。要嵌入標準的CMOS工藝,SONOS需要的掩膜層數更少。具體來說,SONOS只需3到4層額外的掩膜,而其他嵌入式閃存技術一般需要11到12層。當添加到基準CMOS工藝制程中時,SONOS 不會改變標準的器件特性或模式,能保持已有的設計IP。SONOS本身具有高良率和可靠的特性、10年的數據保存期、10萬次編程/擦寫壽命,以及強大的抗軟錯誤能力。在2013年曾驗證過賽普拉斯的S65™ 65納米 SONOS工藝技術。賽普拉斯和UMC已展示了將SONOS延伸到更小節點的能力,以加速未來IP的開發。

          UMC負責特殊技術開發的副總裁S.C. Chien說:“我們擁有眾多的半導體IP生態合作伙伴,UMC計劃建立更多的增值技術平臺,以適應未來低功耗、高集成度IC設計的需求,例如IoT和可穿戴設備。我們很高興與賽普拉斯合作,為客戶帶來55納米SONOS技術的諸多優勢,包括穩定的性能、良好的成本和久經考驗的高良率。基于UMC在特殊工藝方面已有的成功經驗,例如RF, BCD, HV, CIS 和 eFlash等等,我們計劃利用賽普拉斯易于集成的55納米非易失性存儲IP來滿足不同的應用需求。”

          賽普拉斯技術與知識產權事業部副總裁Sam Geha說:“賽普拉斯一直致力于與UMC這樣的業界領先企業開展合作,將SONOS IP作為嵌入式非易失性存儲的首選方案。55納米SONOS工藝生逢其時,可以滿足UMC各種客戶強烈的市場需求。許多新產品均面向快速成長的市場,包括智能卡、銀行卡、可穿戴設備和物聯網等,均可受益于SONOS的低成本、高性能和高可靠性。”



        關鍵詞: 賽普拉斯 UMC SONOS

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