Synopsys全新已流片DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP將面積縮小高達50％

　　為加速芯片和電子系統創新而提供軟件、知識產權(IP)及服務的全球性領先供應商新思科技公司(Synopsys, Inc.，納斯達克股票市場代碼：SNPS)于2014年4月29日宣布：通過推出全新的DesignWare®USB femtoPHY系列IP，已將USB PHY的實現面積縮小多達50%;從而可在28nm和14/16nmFinFET工藝節點上，將USB PHY設計的片芯占用面積和成本降至最低。采用28nm和14nm FinFET硅工藝的DesignWare USB femtoPHY已展示出穩固的性能，使設計師能夠在先進工藝技術節點上實現該IP，同時降低系統級芯片(SoC)設計風險。DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY專為極小面積而優化，滿足了諸如智能手機和平板電腦等移動設備，以及諸如數字電視、存儲等網絡應用等大批量消費應用的嚴苛要求。

　　DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP(DWC SS USB femtoPHY Samsung 14nm FinFET和DWC HS USB femtoPHY Samsung 14nm FinFET)已經在第三方實驗室中通過了USB-IF一致性測試。DesignWare USB femtoPHY達到或超過了USB-IF標準規范，包括5V耐壓和3.3V信令體制，提供了有利于系統配置運行全部規格定義功能的強大性能。DesignWare USB femtoPHY支持所有的USB應用模式，為系統設計師提供了一系列多樣化的SoC設計選項。DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY兩個產品都支持Hi-Speed高速、Full-Speed全速和Low-Speed低速運行，以及作為主控、設備和OTG等不同配置，同時DesignWare USB 3.0 femtoPHY還支持超高速USB運行(USB 3.0)。

　　“基于我們長期成功使用DesignWare USB IP的經驗，我們實現了帶有高品質DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP芯片的一次流片成功，”三星電子晶圓代工市場營銷副總裁Shawn Han博士表示：“在三星晶圓代工廠中制造的帶有DesignWare USB femtoPHY IP的芯片，是首款采用14 nm FinFET工藝的、通過了USB-IF認證的芯片。通過集成一個面積顯著縮小的PHY，提高了我們客戶系統級芯片的競爭力，并且簡化了添加USB連接的過程。Synopsys的DesignWare femtoPHY夠滿足大批量移動和消費類應用的成本、功耗、性能和上市時間的需求，它們對于我們在這些快速發展的市場中獲得成功至關重要。”

　　Synopsys開發的USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP使設計師能夠為其應用選擇最佳實現方式，而不犧牲USB一致性認證所要求的功能或性能。需要高性能的設計可以使用USB 3.0 femtoPHY符合SuperSpeed USB(USB 3.0)規范的5.0 Gbps數據傳輸速率。需要較低性能的應用可以使用USB 2.0 femtoPHY符合Hi-Speed USB(USB 2.0)規范的480MHz傳輸速率。兩種DesignWare USB femtoPHY都能夠將SoC外部所需的引腳數量降至最低，以進一步縮減SoC的面積和成本。當PHY閑置時，關閉電源這一功能可將電池耗電量降至最低，同時保持所有的PHY狀態，以確保快速、精確的上電后功能。此外，DesignWare USB femtoPHY支持廣為使用的v1.2USB電池充電規范和USB On-The-Go (OTG) v2.0協議。

　　“18多年來，作為USB-IF的一名活躍成員，Synopsys一直不斷地開發相關IP產品，簡化了USB 3.0和USB 2.0接口的集成和應用，”USB應用者論壇總裁兼首席運營官Jeff Ravencraft表示道：“獲得USB-IF認證表明一款產品符合USB-IF的互操作性標準，并且符合相應的USB規范。Synopsys提供的全新的、面積更小的DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY，使制造商能夠將該技術引入其SoC中。”

　　“SoC設計師已經依靠Synopsys 在3,000多款設計和100多種工藝技術中實現了USB接口，使我們十多年來一直領跑USB IP供應，”Synopsys IP與原型設計市場營銷副總裁John Koeter表示：“我們能夠為先進工藝技術提供高質量IP這樣的專業技術和成功記錄，使設計師可集成能夠可靠地滿足其嚴格應用需求的IP。隨著DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP的面市，以及在FinFET工藝中成功流片，我們將能夠幫助我們的客戶滿足業界對更小的、高性價比的、高性能的SoC需求。”

　　亮點：

　　· DesignWare USB 2.0 femtoPHY IP的面積小于0.2平方毫米，DesignWare USB 3.0 femtoPHY的面積小于0.5平方毫米，使設計師能夠節省面積并降低整體硅成本

　　· DesignWare USB 3.0 femtoPHY完全支持USB 2.0，與全球數十億部設備兼容

　　· 具有關閉電源后保留數據的功能，在確保數據被保存的同時延長電池壽命;支持USB 電池充電v1.2版規范(USB Battery Charging v1.2)，以確保便攜式設備的高效充電

　　· DesignWare USB femtoPHY采用減少引腳數量的設計，從而將SoC的外部面積和寬度降至最低

　　· 帶有DesignWare USB femtoPHY的28nm和14nm FinFET工藝的消費類芯片已成功流片