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        探討采用綠色塑料封裝的功率MOSFET性能

        作者: 時間:2009-09-14 來源:網絡 收藏

        據觀察顯示,在非器件中,施加ACLV 96小時后開始發生腐蝕,此時帶腐蝕離子的電解液從焊球周邊間隙擴散進鍵合線。電解液沿焊球-焊盤界面流動,引發電腐蝕,造成鋁焊盤溶解。結果,在CuAl2金屬間化合物微結構下形成裂縫,使銅焊球與鋁鍵合焊盤脫開,這引起RDS(on)值從3.4mΩ(未施加ACLV時) 增加到4.0mΩ(施加ACLV 96小時后)。裸片附著脫層也是造成RDS(on)漂移的另一個因素。然而,已證明該因素不是實質性的。此后繼續施加應力,脫開間隙會增大,施壓864小時后,最大間隙尺寸達到0.5μm,而96小時之際僅為0.2μm。而且,腐蝕電解液的擴散距離隨應力施加時長成正比增加。這已通過觀察施壓672小時后的鋁溶解情況以及由此在焊球基底形成的間隙得到證實,如圖5所示。

        探討采用綠色塑料封裝的功率MOSFET性能

        圖5 各焊球中心基底的特寫(放大15000倍)。從圖中可看出,672小時熱壓后,電解腐蝕已經向焊球基底擴散。



        關鍵詞: MOSFET 綠色 塑料封裝

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