討論在PFC中應用的新型超級結MOSFET器件的特點 作者： 時間：2013-02-25 來源：網(wǎng)絡 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 的芯片尺寸和更高效率的性能。具有極快開關速度的超級結MOSFET是實現(xiàn)較高效率的基本選擇，但相比先前數(shù)代產(chǎn)品，難以控制。新型超級結MOSFET，即SuperFET II MOSFET能夠優(yōu)化開關性能，在啟動或過載狀況最大化使用了開關性能等大電流運行中減少柵極振蕩、EMI噪聲并改進穩(wěn)定工作。 電荷放大器相關文章:電荷放大器原理 電容傳感器相關文章:電容傳感器原理 lc振蕩電路相關文章:lc振蕩電路原理 上一頁 1 2 下一頁
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