功率MOSFET基礎(chǔ)知識(shí)

　　如果一切都是如此嚴(yán)格成正比且可以預(yù)測(cè)的話，有什么改進(jìn)的辦法嗎？是的，其思路就是最小化(調(diào)低)基本單元的面積，這樣在相同的占位空間中可以集成更多的單元，從而使RDS(on)下降，并維持電容不變。為了成功地改良每一代MOSFET產(chǎn)品，有必要持續(xù)地進(jìn)行技術(shù)改良并改進(jìn)晶體圓制造工藝(更出色的線蝕刻、更好的受控灌注等等)。

　　但是，持續(xù)不斷地努力開(kāi)發(fā)更好的工藝技術(shù)不是改良MOSFET的唯一途徑；概念設(shè)計(jì)的變革可能會(huì)極大地提高性能。這樣的突破就是飛利浦去年11月宣布：開(kāi)發(fā)成功TrenchMOS工藝。其柵結(jié)構(gòu)不是與裸片表面平行，現(xiàn)在是構(gòu)建在溝道之中，垂直于表面，因此，占用的空間較少并且使電流的流動(dòng)真正是垂直的(見(jiàn)圖3)。在RDS(on)相同的情況下，飛利浦的三極管把面積減少了50%；或者，在相同的電流處理能力下，把面積減少了35%。

圖3：Trench MOS結(jié)構(gòu)。

本文小結(jié)

　　我們把MOSFET與更為著名、更為常用的雙極型三極管進(jìn)行了比較，我們看到MOSFET比BJT所具備的主要優(yōu)勢(shì)，我們現(xiàn)在也意識(shí)到一些折衷。最重要的結(jié)論在于：整個(gè)電路的效率是由具體應(yīng)用決定的；工程師要在所有的工作條件下仔細(xì)地評(píng)估傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗的平衡，然后，決定所要使用的器件是常規(guī)的雙極型、MOSFET或可能是IGBT？