51單片機存儲器擴展問題

總之，記住三總線傳遞的方式，先尋址，再傳數，由控制總線控制，這個模式，你就容易理解這個了。

單片機的p2和p0分別傳遞地址的高八位和低八位。同時p0還傳遞數據。在時序信號的ALE高電平期間，鎖定地址信息。/PSEN是選通程序存儲器的。在/PSEN低電平期間是向程序存儲器傳遞程序代碼，/WR和/RD是選通數據存儲器的，即在/WR和/RD(p3的六腳和七腳)低電平期間把數據傳遞給數據寄存器。而/PSEN和/WR及/RD是在不同時間變為低電平的，沒有重疊的部分。也就是說，當/WR及/RD變成低電平時，/PSEN已經恢復高電平了，由P0口傳出的數據信息當然只會傳到數據存儲器里，因為程序存儲器已經不再處于選通狀態了!!從表面看，都是從p0口傳出的，但因為選通器件的時間不同而不會發生混亂。當然我說的是片外程序存儲器和數據存儲器的的情況，其實對片內也一樣，還是三總線的這種控制方式，使它們在不同的時間被選通，而不至于發生沖突。

看看單片機的一個電路圖。你會發現p0既跟74LS373連，又跟8155或8255或鍵盤或數模轉換器等等連。而8155或8255或鍵盤或數模轉換器等等對單片機而言是當做數據存儲器處理的。74LS373連的多半是程序存儲器。那么p0送出的信號不是兩者都接受了嗎?注意看ALE接74LS373的G接口，鎖存地址用，PSEN有時用有時不用。WR和RD接數據存儲器的選通接口。因為WR和RD跟ALE的信號在時間上沒有重疊部分，所以p0的信號不會被程序存儲器和數據存儲器同時收到。這是一個舉例說明，具體情況要具體分析。

四，51單片機，存儲器分為數據存儲器和程序儲存器，其地址空間、存取指令、和控制信號各有一套，

51是馮-諾依曼結構

哈弗結構說的是將程序存儲器和數據存儲器地址編碼分開，因而有兩種程序指令總線和數據指令總線。請注意這里說的是：地址編碼分開。取指令和取數據可以同時進行。

因為馮-諾依曼結構的數據線和指令線是分時復用的，在同一根線上，有時傳送的是數據有時是指令，所以它取指令和取數據不能同時進行。你看mov，movx，movc，的功能，它告訴cpu什么時候取數據什么時候取指令。注意：數據和指令的區別!

又一種說法 哈佛結構和馮.諾依曼結構都是一種存儲器結構。哈佛結構是將指令存儲器和數據存儲器分開的一種存儲器結構;而馮.諾依曼結構將指令存儲器和數據存儲器合在一起的存儲器結構。

哈佛結構是為了高速數據處理而采用的，因為可以同時讀取指令和數據(分開存儲的)。大大提高了數據吞吐率。缺點是結構復雜。

通用微機指令和數據是混合存儲的，結構上簡單，成本低。假設是哈佛結構：你就得在電腦安裝兩塊硬盤，一塊裝程序，一塊裝數據，內存裝兩根，一根儲存指令，一根存儲數據……

是什么結構要看總線結構的。51單片機雖然數據指令存儲區是分開的，但總線是分時復用得，所以頂多算改進型的哈佛結構，呵呵。ARM9雖然是哈佛德，但是之前的版本也還是馮諾結構。早期的X86能迅速占有市場，一條很重要的原因，正是靠了馮 諾依曼這種實現簡單，成本低的總線結構。樓上的兄弟有一點說的不確切，現在的處理器雖然外部總線上看是諾依曼結構的，但是由于內部CACHE的存在，因此實際上內部來看已經算是改進型哈佛結構的了。

這個問題21ic上討論翻了無數個帖子，沒有什么定論，見仁見智。

至于優缺點，呵呵，樓上的兄弟說的就比較的明白了。哈佛結構就是復雜，對外圍設備的連接與處理要求高，十分不適合外圍存儲器的擴展。所以早期通用CPU難以采用這種結構。而單片機，由于內部集成了所需的存儲器，所以采用哈佛結構也未嘗不可。現在的處理器，依托CACHE的存在，已經很好的將二者統一起來了。

很多入門的書上基本上都說：由運算器、控制器、存儲器、輸入設備、輸出設備組成的系統

都叫馮氏結構。

也有的說：“程序存儲器的數據線地址線”與“數據存儲器的數據線地址線”共用的話，就

是馮氏結構，所以51是該結構。(我認為說得太絕對了)

我認為馮氏結構與哈佛結構的區別應該在存儲器的空間分別上，哈佛結構的數據區和代碼區是分開的，它們即使地址相同，但空間也是不同的，主要表現在數據不能夠當作代碼來運行。

口線復用，就將它認為成馮氏結構，我認為這樣不足取，應該是按照空間是否完全重合來辨別。比如PC機的代碼空間和數據空間是同一空間，所以是馮氏結構;51由于IO口不夠，但代碼空間和數據空間是分開的，所以還是哈佛結構。

另外，還有的把CISC RISC 和 地址是否復用，是哪種結構 這3這都混到一起。我認為這三者都沒有必然的關系。只不過 RISC因為精簡了指令集，沒有了執行復雜功能的指令，為了提高性能，常采用哈佛結構，并且不復用地址線。