嵌入式系統flash接口電路的實現

　　HY29LV160的RESET＃端接系統復位信號；

　　OE＃端接S3C4510B的nOE（Pin72）；

　　WE＃端S3C4510B的nWBE0>（Pin100）；

　　BYTE＃上拉，使HY29LV160工作在字模式（16位數據寬度）；

　　RY/BY#指示HY29LV160編程或擦除操作的工作狀態，但其工作狀態也可通過查詢片內的相關寄存器來判斷，因此可將該引腳懸空；

　　地址總線[A19～A0]與S3C4510B的地址總線[ADDR19～ADDR0]相連；

　　16位數據總線[DQ15~DQ0]與S3C4510B的低16位數據總線[XDATA15~XDATA0]相連。

　　注意此時應將S3C4510B的B0SIZE[1:0]置為“10”，選擇ROM/SRAM/FLASH Bank0為16位工作方式。

　　1.3.2. 32位的FLASH存儲器系統

　　作為一款32位的微處理器，為充分發揮S3C4510B的32性能優勢，有的系統也采用兩片16位數據寬度的Flash存儲器芯片并聯（或一片32位數據寬度的Flash存儲器芯片）構建32位的Flash存儲系統。其構建方式與16位的Flash存儲器系統相似。

　　采用兩片HY29LV16并聯的方式構建32位的FLASH存儲器系統，其中一片為高16位，另一片為低16位，將兩片HY29LV16作為一個整體配置到ROM/SRAM/FLASH Bank0，即將S3C4510B的nRCS0>（Pin75）接至兩片HY29LV16的CE＃端；

　　兩片HY29LV160的RESET＃端接系統復位信號；

　　兩片HY29LV160的OE＃端接S3C4510B的nOE（Pin72）；

　　低16位片的WE＃端接S3C4510B的nWBE0>（Pin100），高16位片的WE＃端接S3C4510B的nWBE2>（Pin102）；

　　兩片HY29LV160的BYTE＃均上拉，使之均工作在字模式；

　　兩片HY29LV160的地址總線[A19～A0]均與S3C4510B的地址總線[ADDR19～ADDR0]相連；

　　低16位片的數據總線與S3C4510B的低16位數據總線[XDATA15~XDATA0]相連，高16位片的數據總線與S3C4510B的高16位數據總線[XDATA31~XDATA16]相連。

　　注意此時應將S3C4510B的B0SIZE[1:0]置為“11”，選擇ROM/SRAM/FLASH Bank0為32位工作方式。

　　2.S3C4510B系統管理器關于存儲器映射的工作原理

　　當系統設計制作完成時，必須經過仔細的調試，才能保證系統按照設計意圖正常工作。盡管系統的調試與個人對電路工作原理的理解和實際的電路調試經驗有很大的關系，但一定的調試方法也是必不可少的。掌握正確的調試方法可使調試工作變得容易，大大縮短系統的開發時間，反之，可能會使整個系統的開發前功盡棄，以失敗告終。

　　在系統的兩類存儲器中，SDRAM相對于FLASH存儲器控制信號較多，似乎調試應該困難一些，但由于SDRAM的所有刷新及控制信號均由S3C4510B片內的專門部件控制，無需用戶干預，在S3C4510B正常工作的前提下，只要連線無誤，SDRAM就應能正常工作，反之，Flash存儲器的編程、擦除操作均需要用戶編程控制，且程序還應在SDRAM中運行，因此，應先調試好SDRAM存儲器系統，再進行Flash存儲器系統的調試。

　　基于S3C4510B系統的最大可尋址空間為64MB，采用統一編址的方式，將系統的SDRAM、SRAM、ROM、Flash、外部I/O以及片內的特殊功能寄存器和8K一體化SRAM均映射到該地址空間。為便于使用與管理，S3C4510B又將64MB的地址空間分為若干個組，分別由相應的特殊功能寄存器進行控制：

　　（1） ROM/SRAM/Flash組0～ROM/SRAM/Flash組5，用于配置ROM、SRAM或Flash，分別由特殊功能寄存器ROMCON0～ROMCON5控制；

　　（2）DRAM/SDRAM組0～DRAM/SDRAM組3用于配置DRAM或SDRAM，分別由特殊功能寄存器DRAMCON0～DRAMCON3控制；

　　（3）外部I/O組0～外部I/O組3用于配置系統的其他外擴接口器件，由特殊功能寄存器REFEXTCON控制；

　　（4）特殊功能寄存器組用于配置S3C4510B片內特殊功能寄存器的基地址以及片內的8K一體化SRAM，由特殊功能寄存器SYSCFG控制；

　　在系統中，使用了Flash存儲器和SDRAM，分別配置在ROM/SRAM/FLASH組0和DRAM/SDRAM組0，暫未使用外擴接口器件。

　　3基于S3C4510B的嵌入式系統Flash存儲器接口電路的調試

　　Flash存儲器的調試主要包括Flash存儲器的編程（燒寫）和擦除，與一般的存儲器件不同，用戶只需對Flash存儲器發出相應的命令序列，Flash 存儲器通過內部嵌入的算法即可完成對芯片的操作，由于不同廠商的Flash存儲器在操作命令上可能會有一些細微的差別，Flash存儲器的編程與擦除工具一般不具有通用性，這也是為什么Flash接口電路相對較難調試的原因之一，因此，應在理解Flash存儲器編程和擦除的工作原理的情況下，根據不同型號器件對應的命令集，編寫相應的程序對其進行操作。

　　若使用SDT調試環境，調試過程與上述步驟相似。

　　>obey C:memmap.txt

　　打開AXD Debugger的命令行窗口，執行obey命令：

　　此時，2MB的Flash存儲器映射到地址空間的0x0000,0000～0x001F,FFFF處，選擇菜單Processor Views→Memory選項，出現存儲器窗口，在存儲器起始地址欄輸入Flash存儲器的映射起始地址：0x0,數據區應顯示Flash存儲器中的內容，若Flash存儲器為空，所顯示的內容應全為0xFF,否則應為已有的編程數據。雙擊其中的任一數據，輸入新的值，對應存儲單元的內容應不能被修改，此時可初步認定Flash存儲器已能被訪問，但是否能對其進行正確的編程與擦除操作，還需要編程驗證，通過程序對Flash存儲器進行編程和擦除操作。

　　4結束語

　　這樣整個基于的嵌入式系統Flash存儲器接口電路的調試基本上完成了，當然對于不同的系統，操作是略有不同的，我們可以根據所要開發或使用的嵌入式系統模式，進行適當的調整，保證我們正確的使用Flash存儲器。