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        內存芯片識別方法

        作者: 時間:2012-04-03 來源:網絡 收藏
        : 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">代表內部由幾個Bank組成(1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank,是2的

        冪次關系);I代表接口(0=LVTTL[Low Voltage TTL]接口);j代表內核版本

        (可以為空白或A、B、C、D等字母,越往后代表內核越新);k代表功耗(L=低功

        耗芯片,空白=普通芯片);lm代表封裝形式(JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-

        Ⅱ,TD=13mm TSOP-Ⅱ,TG=16mm TSOP-Ⅱ);no代表速度(7=7ns[143MHz],

        8=8ns[125MHz],10p=10ns[PC-100 CL2或3],10s=10ns[PC-100 CL3],

        10=10ns[100MHz],12=12ns[83MHz],15=5ns[66MHz])。
         
          例如HY57V658010CTC-10s,HY表示現代的芯片,57代表SDRAM,65是64Mbit和

        4K refresh cycles/64ms,8是8位輸出,10是2個Bank,C是第4個版本的內核,TC

        是400mil TSOP-Ⅱ封裝,10S代表CL=3的PC-100。
         
          市面上HY常見的編號還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10,其中

        ATC10編號的SDRAM上133MHz相當困難;編號ATC8的可超到124MHz,但上133MHz也



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