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	 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 內(nèi)存芯片識(shí)別方法
        
    
        

        

        


	
	
	

        
	
        
		
        
			
        內(nèi)存芯片識(shí)別方法
        
						
        
				作者：
				時(shí)間：2012-04-03
				來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)

							
				
				
				
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			-LEFT: 0px; PADDING-BOTTOM: 0px; MARGIN: 0px 0px 20px; WORD-SPACING: 0px; FONT: 14px/24px 宋體, arial; TEXT-TRANSFORM: none; COLOR: rgb(0,0,0); TEXT-INDENT: 3em; PADDING-TOP: 0px; WHITE-SPACE: normal; LETTER-SPACING: normal; BACKGROUND-COLOR: rgb(255,255,255); orphans: 2; widows: 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz
        (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit內(nèi)存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新時(shí)間0 =
        64m/4K (15.6μs)，內(nèi)存芯片排數(shù)為4排（兩面各兩排），接口電壓
        LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP
        Ⅱ，速度133MHZ。
        　
        　　三星RAMBUS DRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM418RD8C表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表
        RAM種類（4=DRAM）；18代表內(nèi)存芯片組成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示
        產(chǎn)品類型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表內(nèi)存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M
        、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉(zhuǎn)CSP]、W = WL
        -CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，
        BGA封裝，速度800Mbps。
        （6）Micron（美光）
        　
        　　Micron公司是世界上知名內(nèi)存生產(chǎn)商之一（如右圖Micron PC143 SDRAM內(nèi)存
        
				
        
					
					
		  			
		  			
					
				
        
			
        
                
			
							
        
                
			            
                            
              
            
        
		
		
        
		
        
		
        
		
        
			
			
        
		
        
		
		
        
		
        
			
			
		
        
        
		
        
			
        關(guān)鍵詞：
            			            內(nèi)存芯片
                        識(shí)別方法
                        
            
        
            
			
        
		
        	
		

	

        
	
	
        
		
        
			
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