手機攝像頭寬動態技術

寬動態需要采用快速讀出的CMOS圖像傳感器。使用CCD圖像傳感器，使用者被限制使用連續1/60s或者2倍1/30s奇偶場合成。在寬動態的新技術里，使用者可以采用1/30s圖片的長曝光，使用1/30s圖片的短曝光，然后把這兩張圖片實時地進行處理，從而獲得一張工業級別的寬動態范圍的圖像。

　　以下是圖示：

　　現在也有公司在開發不同的方法獲得HDR。其中有一種叫做動態響應像素技術出現了，這種技術著重在圖像內部的DR，即給每個像素點都加入了不同的感光度，這種像素點的原理是有一個很大的充電電容。

　　當圖像在高亮的條件下，DCG開關開啟，連接到FD結點的物理電容。通過這種方法，FD結點的大容量電容使能LCG模式，即可以擎住大量的信號充電(不至于溢出)。在低照度的條件下,DCG開關關閉，斷開連接到FD結點的電容，使能HCG模式，即使用在像素內部的額外的模擬增益。在種情況下，FD電容僅取決于FD的PN結電容和金屬互偶電容，此值會遠遠小于物理電容結構。更少的FD電容結果會提高轉換增益，提高感光度并減少讀取噪聲，以犧牲降低最大的充電擎住電容為代價。