MOSFET柵漏電流噪聲分析
為與靜電勢ψ(y)相關的柵電流,IG的雅可比矩陣,Gψ(x,x1)為氧化層x1處的單位電荷在氧化層x處的電勢ψ(x)的格林函數。
氧化層中的陷阱可發射載流子至溝道或從溝道中俘獲載流子。對于近二氧化硅/多晶硅界面捕獲的載流子,若其再發射,進入多晶硅柵,應用朗之萬方程,假定產生幾率不受再發射過程的影響,則單位體積內占據陷阱數量漲落的譜密度為

其中,


由BSIM4提出的簡易MOS模型的柵極電流分量模型

其中,JG是柵極電流密度,L是溝道長度,W是溝道寬度,x是沿溝道的位置(源極處x=0,漏極處x=L),IGS和IGD是柵極電流的柵/源和柵/漏分量。通過線性化柵電流密度與位置的關系,簡化這些等價噪聲電流分析表達式,所得的總柵極電流噪聲表達式為


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