高介電常數柵電介質/金屬柵極的FA CMP技術 作者： 時間：2013-05-27 來源：網絡 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> ttp://www.elecfans.com/uploads/allimg/120504/1G31B403-12.jpg" width=545 height=161> 結論 良好的WID、WIW和WTW厚度控制是制造基于HKMG技術的高性能邏輯芯片的關鍵。ILD0化學機械研磨工藝利用FA對不同尺寸大小和密度的芯片結構均提供優異的表面形貌和平坦度控制，并且通過使用FullVision實時終點控制系統進一步確保穩定的WTW厚度控制。 上一頁 1 2 下一頁
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