集成電路可靠性試驗―鹽霧技術研究

　　3.4 流速

　　在氧濃度、溫度、鹽濃度一定時，流速的增加，使擴散層厚度δ減小，由公式(5)可知，極限電流密度id變大，所以腐蝕速度增加。再看試驗結果表1中的③，流速變大后，電路表面的腐蝕現象增加了，也就是說腐蝕速度是與流速成正比關系的。

　　3.5 樣品擺放的影響

　　從表1④看，腐蝕現象隨角度變大而變得嚴重，我們研究該現象嚴重的原因。

　　圖3中左圖為樣品擺放的位置,右圖為鹽霧顆粒在蓋板上的受力情況。

　　下面來看一下鹽霧顆粒在樣品表面停留的時間。假定顆粒從樣品表面蓋板的上端向下端流動，設蓋板的長度為L，根據圖3中右圖的顆粒受力情況及動力學原理，得出：

　　從公式(8)中可知，樣品偏離垂直方向的角度α與時間t成正比,即當α=0°時，t最小;當α=90°時，t最大，鹽霧顆粒在樣品表面時間越長，鹽沉積在表面蓋板上的就越多，對樣品的破壞性就越大。當角度為0°時，樣品放置會不穩定;角度為90°時，因鹽沉積量太大而影響試驗的作用。因此，角度在10°-80°比較合適，一般取45°，即可使流速快又可使鹽沉積在蓋板上不多。該角度便于調制而且樣品放置方便。

　　4 結論

　　通過以上的試驗與結果分析，我們可以認為在溫度小于35℃前，腐蝕速度與溫度成正比關系;當超過35℃后，腐蝕速度與溫度成反比關系;在35℃腐蝕速度達到最大。鹽濃度小于3%前，腐蝕速度與濃度成正比關系;當鹽濃度超過3%后，腐蝕速度與鹽濃度成反比關系;在3%時腐蝕速度達到最大。氧溶解度對腐蝕速度的影響是與溫度與鹽濃度相關的。采用溫度35℃、鹽濃度3%進行鹽霧試驗可以在最短時間并且最有效地反映集成電路封裝的抗腐蝕能力。樣品的擺放偏離垂直方向的角度越大，試驗越嚴酷，越小越寬松，試驗時的角度為45°，可以兩者兼顧。