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        集成電路可靠性試驗―鹽霧技術研究

        作者: 時間:2013-11-30 來源:網絡 收藏
        ; COLOR: rgb(0,0,0); WORD-SPACING: 0px; PADDING-TOP: 0px; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">  3 試驗分析

          本文對以上試驗結果進行了分析。在鹽霧試驗中,由于各種金屬的電極電位不同以及它們在鹽液中的過電位大小不一,所以在鹽霧中會發生很多的 電化學反應。在陽極是金屬失去電子,成為離子,在陰極發生的電化學反應類型有析氫反應和氧去極化反應等,其中氧去極化反應(吸氧反應)是最主要的反應類型。它是由于鹽液中含有的溶解氧而 造成的,溶液中的氧可通過擴散作用不斷地向陰極區移動。

          氧向電極表面擴散決定整個吸氧腐蝕過程的速度,因為氧在鹽溶液的溶解度是有限的,吸氧腐蝕速度往往被氧向金屬表面的擴散速度所控制,也就是說,金屬腐蝕速度是與氧在陰極還原的極限電流密度相一致的。

          氧向陰極擴散速度由Fick第二定律得出

          

        集成電路可靠性試驗―鹽霧技術研究

          式中,D為溶解氧擴散系數;δ為擴散層厚度;Ce為電極表面氧的濃度;C為溶液中氧的濃度。

          電極反應速度可由法拉第定律得出

          

        集成電路可靠性試驗―鹽霧技術研究

          id:極限電流密度;n:價數;F:法拉第常數。

          當電極反應達到平衡,即擴散控制時:V1=V2由公式(2)、公式(3)得出

          

        集成電路可靠性試驗―鹽霧技術研究

          由于隨著電極反應的進行,電極附近氧原子不斷消耗,Ce降低,當Ce→0時,公式(4)可變為

          

        集成電路可靠性試驗―鹽霧技術研究

          從公式(5)中可以看出,極限電流密度id與擴散層厚度δ、溶解氧擴散系數D、溶解氧的濃度C、價數n等有關;極限電流密度的大小也就意味著腐蝕速度的大小;其中D與環境溫度成正比。

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        關鍵詞: 集成電路 可靠性

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