我國科研團(tuán)隊(duì)完成新型光刻膠技術(shù)初步驗(yàn)證：為EUV光刻膠開發(fā)做技術(shù)儲(chǔ)備

4月2日消息，據(jù)湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室官微消息，九峰山實(shí)驗(yàn)室、華中科技大學(xué)組成聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)，支持華中科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)突破“雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)的化學(xué)放大光刻膠”技術(shù)。

據(jù)介紹，該研究通過巧妙的化學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，以兩種光敏單元構(gòu)建“雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)的化學(xué)放大光刻膠”，最終得到光刻圖像形貌與線邊緣粗糙度優(yōu)良、space圖案寬度值正態(tài)分布標(biāo)準(zhǔn)差（SD）極小（約為0.05）、性能優(yōu)于大多數(shù)商用光刻膠。

且光刻顯影各步驟所需時(shí)間完全符合半導(dǎo)體量產(chǎn)制造中對吞吐量和生產(chǎn)效率的需求。

作為半導(dǎo)體制造不可或缺的材料，光刻膠質(zhì)量和性能是影響集成電路電性、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。但光刻膠技術(shù)門檻高，市場上制程穩(wěn)定性高、工藝寬容度大、普適性強(qiáng)的光刻膠產(chǎn)品屈指可數(shù)。

當(dāng)半導(dǎo)體制造節(jié)點(diǎn)進(jìn)入到100nm甚至是10 nm以下，如何產(chǎn)生分辨率高且截面形貌優(yōu)良、線邊緣粗糙度低的光刻圖形，成為光刻制造的共性難題。

該研究成果有望為光刻制造的共性難題提供明確的方向，同時(shí)為EUV光刻膠的著力開發(fā)做技術(shù)儲(chǔ)備。

上述具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的光刻膠體系在產(chǎn)線上完整了初步工藝驗(yàn)證，并同步完成了各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)的檢測優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了從技術(shù)開發(fā)到成果轉(zhuǎn)化的全鏈條打通。