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        可靠性和性能俱佳的存儲器

        作者: 時間:2012-03-23 來源:網絡 收藏

        除了NOR閃存之外,醫療電子中也會用到存儲量更大的NAND閃存,以及Managed NAND。醫療電子中可以用到的產品有工業級CF存儲卡和工業/汽車eMMC,工業級產品可以更好的滿足醫療電子對工作溫度、平均無故障時間的要求。
        恒憶(Numonyx)是有intel與ST的存儲部門合并組成,專注于為客戶提供完整的閃存解決方案,包括為手機、數碼相機、路由器、自動安全系統、工業自動控制以及便攜式存儲媒介等應用提供NOR、NAND、以及MCP RAM 、PCM等解決方案。在第三屆中國國際醫療電子技術大會(CMET2010)中,恒憶嵌入式系統事業部亞洲市場部業務拓展經理祁峰為大會嘉賓詳解了醫療電子應用中需要的俱佳的

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202357.htm

        恒憶定位與優勢

        據祁峰介紹,醫療設備應用中對閃存的需求主要存在兩個方面:一個是引導,一個是對應用程序代碼、數據日志以及海量數據的存儲。相對一般應用,醫療電子中的存儲需要高、高啟動速度,反復擦寫以及高密度等特性。

        醫療應用市場對閃存的要求

        下邊我們針對醫療電子的要求探討一下閃存解決方案:

        閃存主要分兩種:NOR和NAND,因為醫療電子涉及到人的健康和生命安全,對數據的準確性、閃存質量的要求更高,數據錯誤可能會導致醫療事故。另外除提高存儲密度的光刻技術進步外,更快的I/O速率、更低的功耗、穩健的安全保護機制和支持高效軟件API是今天的嵌入式系統的突出特性。因此經常用到更加可靠的NOR閃存。

        在便攜醫療電子應用中經常用到的NOR主要有兩種:P3X和M29EW。P3X工作電壓為3伏和1.8伏,整體功耗很低,可以提供很快的讀寫速度(每次16字節/40赫茲)、512字節的緩沖存儲。利用這些特性,P3X可以提供高速編程、作為執行代碼的存儲。另一種M29EW閃存也是基于65納米工藝,符合工業應用標準。

        然后,我們還可以利用SPI NOR閃存提高應用靈活性和代碼執行速度,恒憶串行閃存(SPI)產品主要有M25PX和N25Q兩種,都是基于65納米工藝。M25PX最高時鐘頻率為75兆,可以提供2位、甚至4位的輸入輸出,并且兼容傳統的閃存產品。另外一款N25Q的頻率提高到108赫茲,同樣支持1位、2位和4位的輸入輸出協議。在4位輸入輸出時頻率高達432赫茲,因此可以大大提高數據支持率,三種協議均支持XIP(片內執行)模式,因此擁有優異的讀寫、高度應用靈活性、高速讀取和低功耗等多種優良,十分適合醫療電子的應用,N25Q產品系列包括2.7V、3.6V電壓版本。

        除了NOR閃存之外,醫療電子中也會用到存儲量更大的NAND閃存,以及Managed NAND。醫療電子中可以用到的產品有工業級CF存儲卡和工業/汽車eMMC,工業級產品可以更好的滿足醫療電子對工作溫度、平均無故障時間的要求。

        除了上述產品,恒憶公司還推出了最新的存儲技術——相變存儲器(PCM),PCM集結了NOR、NAND和RAM的最佳特性,簡化了存儲器產品,而且單個芯片具備更多性能,PCM的主要特性包括:

        可變位性

        與RAM 或EEPROM一樣,PCM具有可變位特性。 閃存技術在變更信息時需要單獨擦除步驟。而存儲在具有可變位特性存儲器中的信息能夠從1到0或從0到1進行轉換,而不需要單獨擦除步驟。

        非易失性

        與NOR閃存和NAND閃存一樣,PCM具有非易失性。 RAM需要連續的供電電源,例如備用電池系統來保存信息。恒憶在多兆位PCM陣列上所進行的長期數據保存方面的早期測試結果表現很好。

        讀取快速

        與RAM和NOR閃存一樣,此技術具有快速隨機存取時間的特性。 該特性使得存儲器可以直接進行代碼執行,無需臨時復制到RAM。 PCM的讀取等待時間可以與single bit per cell NOR閃存相媲美,并且讀取帶寬與DRAM不相上下。

        寫入/擦除快速

        PCM能夠實現在更短的等待時間內,比NAND更快的寫入速率。 與無單獨擦除步驟(即可變位特性)相結合,這些特性實現了比NOR和NAND更快速的寫入性能。

        尺寸縮變性

        尺寸縮變性是PCM與眾不同的第五個特征 NOR和NAND均采用浮動柵存儲結構,其尺寸難以縮小變化。 當閃存中存儲圓晶減少時,存儲在浮動柵上的電子數量也隨之減少。 據估計,45納米的NAND閃存在“1”和“0”之間進行描述時使用的電子不到100個。 45納米以下,電子數量將持續出現較高的位錯誤率和較低的可靠性。 因為PCM不存儲電荷(電子),所以并不存在電荷存儲多少的問題。 事實上是更小的光刻尺寸改善了PCM技術!

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        關鍵詞: 可靠性 存儲器 性能

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