25 年資深專家帶隊，三星已布局推進碳化硅功率半導體業務

IT之家 10 月 19 日消息，根據韓媒 ETNews 報道，三星電子內部組建了新的碳化硅（SiC）功率半導體團隊，已經任命安森美半導體前董事洪錫?。⊿tephen Hong）擔任副總裁，負責監管相關業務。

洪錫俊是功率半導體領域的專家，在英飛凌、仙童和安森美等全球大型公司擁有約 25 年的經驗，加入三星后，他負責領導這項工作。

洪錫俊負責組建和帶領這支 SiC 商業化團隊，同時積極與韓國功率半導體產業生態系統和學術機構合作進行市場和商業可行性研究。值得注意的是，三星在正式進軍 GaN（氮化鎵）業務前，也提前組建了相關業務團隊。

三星電子已開始全面籌備 GaN 功率半導體業務。三星決定購買 Aixtron 最新的 MOCVD 設備，專門用于加工 GaN 和 SiC 晶圓，這凸顯了三星對此努力的承諾，這筆投資預計至少為 700-8000 億韓元。

盡管三星的第三代半導體代工業務預計將于 2025 年啟動，但目前仍處于研究和樣品階段，現在需要大量投資設備以支持未來的量產工作。

根據 TrendForce 的分析，預計 2023 年全球 SiC 功率器件市場規模將達到 22.8 億美元（IT之家備注：當前約 166.9 億元人民幣），同比增長 41.4%。預計到 2026 年將擴大到 53.3 億美元（當前約 390.16 億元人民幣）。

根據 TrendForce 的最新研究，預計到 2024 年，三星 8 英寸晶圓制造工廠的利用率可能會下降至 50%。這一下降主要是由于全球半導體需求減少，再加上地緣政治因素，嚴峻的商業環境影響了三星的訂單量。

隨著 SiC 和 GaN 功率半導體的需求持續上升，以及三星硅晶圓業務面臨挑戰，該公司與 DB Hitek 和 Key Foundry 等競爭對手一起，正準備推出 8 英寸 GaN 代工服務。這一戰略舉措預計將在 2025 年至 2026 年間實現。