尼康推出新一代步進式光刻機“NSR-2205iL1”，2024 年夏季上市
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IT之家 9 月 6 日消息，尼康宣布推出新一代具有 5 倍縮小投影倍率的 i-line 步進式光刻機“NSR-2205iL1”，預計 2024 年夏季上市。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/202309/450276.htm
據稱，這種光刻機具有縮小投影放大系統，支持功率半導體、通信半導體和 MEMS 等多種產品，并且與尼康現有的 i-line 曝光設備高度兼容；NSR-2205iL1 代表了尼康 5 倍步進技術在過去二十五年中的最重大的更新，將可直接響應客戶對這些在芯片制造中發揮重要作用的光刻系統的需求。
尼康表示，與現有的尼康 i-line 曝光系統相比，NSR-2205iL1 具有出色的經濟性，無論晶圓材料如何，都可以優化各種半導體器件的生產。
IT之家注：這是尼康 25 年來（從 1999 年“NSR-2205i14E2”開始接單時計算）首次推出投影倍率降低 5 倍的新型 i-line 曝光系統。
主要性能：
| 分辨率 | ≤350nm |
|---|---|
| NA（孔徑） | 0.45 |
| 光源 | i-line（波長：365 nm） |
| 縮小倍率 | 1:5 |
| 最大曝光場 | 22×22mm |
| 疊加精度 | SMO：≤70nm |
尼康指出，隨著電動汽車、高速通信和各種 IT 設備的普及，支持這些應用的半導體需求呈指數級增長。這些半導體必須執行各種具有挑戰性的功能，因此，設備制造商需要專門的基板和曝光系統來制造這些芯片。
除了擴展各種功能選項以滿足客戶多樣化的需求外，這款新開發的 i-line 光刻機還將支持長期的設備生產。
據介紹，NSR-2205iL1 可通過多點自動對焦（AF）、先進的晶圓臺平整技術以及寬深度焦點范圍（DOF）等多種優點，在高精度晶圓測量的基礎上，為各種半導體制造過程提供高生產率，并優化產量水平。此外，由于其晶圓厚度和尺寸的兼容性、高晶圓翹曲容忍度以及靈活的功能（包括但不限于支持 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）加工），NSR-2205iL1 i-line 光刻機非常適用于各種應用場景。這款光刻機將提供卓越的性價比，同時滿足芯片制造商多樣化的需求。
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