突破摩爾定律 原子級芯片取得革命性突破

據報道，麻省理工學院的研究團隊最近成功開發出了一種基于二硫化鉬的原子級薄晶體管，這個突破將對芯片技術的發展產生重大影響。傳統的半導體芯片是由塊狀材料制成，呈方形的3D結構，將多層晶體管堆疊起來實現更密集的集成非常困難。而這種原子級的薄晶體管則由超薄的二維材料制成，每個晶體管只有3個原子厚，可以堆疊起來制造更強大的芯片。

這項技術的突破將有望推動芯片技術的發展進入一個新的階段，突破摩爾定律的天花板，為高性能計算、人工智能、物聯網等領域帶來重大影響。此外，這種技術還可以為柔性電子設備、可穿戴技術和智能紡織品等領域提供強大的支持，將半導體集成到衣服或筆記本等日常用品上。

A股公司中，德爾未來（002631）控股子公司烯成石墨烯有二硫化鉬制備設備的技術儲備，主要用于制備二硫化鉬二維半導體材料。金鉬股份（601958）是亞洲最大的鉬業公司，二硫化鉬等項目已完成環保驗收，成功打通二硫化鉬新線，有效支撐二硫化鉬可持續發展。