泛林集團推出開創性的選擇性刻蝕設備組合，以加速芯片制造商的 3D 路線圖

泛林集團近日宣布推出一系列新的選擇性刻蝕產品，這些產品應用突破性的晶圓制造技術和創新的化學成分，以支持芯片制造商開發環柵 (GAA) 晶體管結構。 泛林集團的選擇性刻蝕產品組合包含三款新產品——Argos^?、Prevos? 和 Selis?，為先進邏輯和存儲器半導體解決方案的設計和制造提供了強大優勢。

集成了泛林集團最新Prevos和Selis的設備系統

隨著現代技術和器件的不斷發展，對提高性能和效率所需的更高器件密度的需求也在增加。 為了跟上摩爾定律的步伐，芯片制造商目前正在開發垂直晶體管架構——這是一種非常復雜的工藝，需要超高選擇性、精密刻蝕和均勻的各向同性材料去除，同時不改變或損壞其他關鍵材料層。

泛林集團的選擇性刻蝕解決方案提供支持先進邏輯納米片或納米線形成所需的超高、可調選擇性和無損傷的材料去除，使芯片制造商能夠在 DRAM 達到其平面微縮極限后實現從平面結構到三維結構的又一次進化式飛躍。

泛林集團的這一選擇性刻蝕產品是與全球最具創新精神的邏輯和晶圓芯片制造商合作開發而成的，已被三星電子等行業領導者的晶圓廠使用，以支持先進邏輯晶圓開發過程中的近十多個關鍵步驟。

三星半導體研發中心專家Keun Hee Bai 博士表示：“半導體行業不斷向更強大和更快的器件能力邁進。 隨著器件的密度和復雜性不斷大幅提升，選擇性刻蝕技術對于制造我們最先進的邏輯器件至關重要。隨著全球對三星技術的需求持續攀升，我們依靠選擇性刻蝕產品所具有的各種創新技術和能力來提升產能并加速我們的邏輯器件路線圖，以推出先進邏輯環柵器件，甚至更先進的器件。”

泛林集團的選擇性刻蝕產品組合由三個新設備組成：  

●   Argos——具有革命性的 MARS?（Metastable Activated Radical Source，亞穩態活性自由基源）技術——能夠選擇性地改性和凈化晶圓表面。 其突破性的處理和調整能力使芯片制造商能夠精確地處理、優化晶圓表面，以獲得最佳性能。

●   Prevos通過將新型化學成分和創新的蒸汽技術與靈活的溫度控制相結合，實現氧化物、硅和金屬的原子層精度的超高選擇性刻蝕。Prevos利用了由泛林集團開發的全新專有化學技術解決方案，可以添加額外的化學成分來滿足芯片制造商的生產需求。

●   Selis獨具一格地采用自由基和熱刻蝕能力，能夠實現超高選擇性刻蝕和從上到下均勻的工藝控制，而不會損壞晶圓結構。 

●   Prevos和Selis也可以作為單一的集成設備交付，以提供獨特的多層選擇性刻蝕、更好的排隊時間控制和最大的生產靈活性。

泛林集團總裁兼首席執行官 Tim Archer 表示：“泛林集團正在推動晶圓制造技術的發展，以支持芯片行業向 3D 架構轉變，并使下一代數字技術成為現實。 40 多年來，泛林集團在刻蝕技術創新方面一直引領行業。 我們很自豪能夠延續這一傳統，為當今市場上的先進邏輯和存儲器提供最先進的選擇性刻蝕解決方案組合。”