意法半導體制造首批200mm碳化硅晶圓

服務多重電子應用領域的全球半導體領導者意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)近日宣布，ST瑞典北雪平工廠制造出首批200mm (8寸)碳化硅(SiC)晶圓片，這些晶圓將用于生產下一代電力電子芯片的產品原型。SiC晶圓升級到200mm標志著ST面向汽車和工業客戶的擴產計劃取得重要的階段性成功，鞏固了ST在這一開創性技術領域的領導地位，提高了電力電子芯片的輕量化和能效，降低客戶獲取這些產品的總擁有成本。

意法半導體的首批200mm SiC晶圓片質量上乘，影響芯片良率和晶體位錯的缺陷非常少。低缺陷率的取得離不開意法半導體碳化硅公司(前身是Norstel公司，2019年被ST收購)在SiC硅錠生長技術開發方面的深厚積累和沉淀。除了晶圓片滿足嚴格的質量標準外，SiC晶圓升級到200mm還需要對制造設備和整體支持生態系統進行升級更換。意法半導體正在與供應鏈上下游技術廠商合作開發自己的制造設備和生產工藝。

意法半導體先進的量產碳化硅產品STPOWER SiC目前是在卡塔尼亞（意大利）和宏茂橋（新加坡）兩家150mm晶圓廠完成前工序制造，后工序制造是在深圳（中國）和布斯庫拉（摩洛哥）的兩家封測廠進行的。這個階段性成功是意法半導體布局更先進的、高成本效益的200mm SiC量產計劃的組成部分。SiC晶圓升級到200mm屬于公司正在執行的SiC襯底建新廠和內部采購SiC襯底占比超40%的生產計劃。

意法半導體汽車和分立器件產品部總裁Marco Monti表示：“汽車和工業市場正在加快推進系統和產品電氣化進程，SiC晶圓升級到200mm將會給我們的汽車和工業客戶帶來巨大好處。隨著產量擴大，提升規模經濟效益是很重要的。在覆蓋整個制造鏈的內部SiC生態系統方面積累深厚的專業知識，可以提高我們的制造靈活性，更有效地控制晶圓片的良率和質量改進。”

編輯參考信息

碳化硅是一種化合物半導體材料，在電動汽車和工業制造過程等重要的高增長的電力應用領域，與硅材料相比，碳化硅的本征特性可提供更高的性能和能效。ST 在 SiC 領域的領先地位歸功于 25 年的專注和研發投入，擁有 70 多項專利。這項顛覆性技術可實現更高效的電能轉換，更小的更輕量化的設計，節省更多的系統設計總體成本，這些都是決定汽車和工業系統成功的關鍵參數和因素。與 150mm晶圓相比，200mm晶圓可增加產能，將制造集成電路可用面積幾乎擴大1 倍，合格芯片產量是150mm晶圓的1.8 - 1.9 倍。