生產力提升15% ASML交付首臺極紫外光刻機

芯研所消息，ASML第一臺全新TWINSCAN NXE:3600D EUV光刻機系統已經交付給客戶，和前代產品相比生產力提高了約15-20％，套刻精度提高了約30％。

據了解，本次交付的TWINSCAN NXE:3600D EUV光刻機的EUV光源波長13.5nm左右，物鏡NA數值孔徑0.33，第二代EUV光刻機將會是NXE:5000系列，物鏡NA提升到0.55，進一步提高光刻精度。

ASML表示，正努力增加EUV光刻機在存儲行業的量產應用，計劃協助三個DRAM內存芯片客戶在未來的工藝節點中導入EUV。