南亞科10nm DRAM技術突破

據臺媒報道，南亞科已完成自主研發 10 納米級 DRAM 技術，將在今年下半年試產！ 

全球 DRAM 內存芯片主要掌握在三星、SK 海力士、美光三家公司中，他們的份額高達 95% 以上，關鍵原因就在于這三家的技術專利形成了極高的門檻，其他公司突圍起來很難。 

南亞科之前的內存也是來自美光授權，今年他們將轉向自研的 10nm 級內存，未來將自產 DDR4/LPDDR4/DDR5 等內存顆粒。 

在美光前兩年全資收購華亞科之后，南亞科技變成了全球第四大內存廠，不過份額只有2% 左右，而且技術來源也主要是美光授權，而且技術落后較多，在三星、美光、SK 海力士轉向 1X、1Y、1Znm 工藝之后，南亞的主力還是 30nm 等，來自美光授權，這兩年才搞定 20nm 內存，也是授權+合作研發的模式，南亞上次自己搞內存研發還是 99nm 時代。 

在 10nm 級內存芯片中，南亞決定自研了，目前 10nm 級前導產品預計會在今年下半年試產，主要包括 8Gb 核心的 DDR4、LPDDR4 及未來的 DDR5，都可以由自研的技術平臺生產。 

在解決 10nm 級內存工藝技術之后，南亞還會繼續研發第二代 10nm 級工藝，預計 2022 年量產，還會開發第三代 10nm 級工藝。