兆易創新融資43億研發國內內存 19/17nm工藝追平三星美光

2019年國產內存實現了0的突破，合肥長鑫前不久宣布量產10nm級DDR4內存，核心容量8Gb。除此之外，另外一家存儲芯片公司兆易創新也宣布研發內存，10.1日該公司宣布融資43億元，主要用于研發1Xnm工藝的內存芯片。

根據兆易創新的公告，本次非公開發行A股股票的發行對象為不超過10名特定投資者，發行的股票數量不超過本次發行前公司股份總數的20%，即不超過64,224,315股（含本數）。

預案顯示，兆易創新本次發行募集資金總額（含發行費用）不超過人民幣432,402.36萬元（含本數），扣除發行費用后的募集資金凈額將用于DRAM芯片研發及產業化項目及補充流動資金。

募集的資金中有39.92億元都會投入到內存研發及產業化中，主要用于研發1Xnm（19、17nm）制程工藝下的內存芯片，設計、研發DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4等多種規格的內存。

早在2017年的時候，兆易創新宣布與合肥長鑫合作，雙方將投資180億元研發國產內存，其中兆易創新方面負責籌集36億元的資金。不過合肥長鑫量產內存時表示該項目是他們獨立運營的，否認與兆易創新有關。

目前情況來看，兆易創新融資43億元是準備自行研發DDR內存，而且制程工藝也是國際先進水平，17nm工藝目前與三星、美光工藝基本持平，不過后者已經開始量產，兆易創新依然是研發階段。