宜特晶背FIB電路修補能力突破7奈米工藝

　　隨半導體產業朝更先進工藝 發展之際，宜特電路修補技術(IC Circuit Edit)檢測技術再突破!宜特今(3/15)宣布，宜特通過先進工藝 客戶肯定，IC芯片背面(Backside，簡稱晶背)FIB電路修補技術達7奈米(nm)工藝 。

　　宜特針對IC設計業者為何須進行電路修補進行說明。由于即使電路仿真軟件不斷地提升演進，仍難以100%來確保芯片的設計及布局正確性，一旦發現電路瑕疵只能再次進行光罩改版;然而光罩價格不斐，且重新下光罩后，等待修補過后的芯片時間通常超過一個月。因此，多數IC設計業者，會選擇進行IC電路修補，只需幾個小時內即可完成修補，確保電路設計符合預期，并降低時間及金錢的成本耗損。

　　宜特表示，隨著摩爾定律，半導體工藝 從1微米(um)、0.5微米(um)、0.13微米(um)不斷微縮到奈米(nm)等級，如此先進工藝 的電路修補，考驗FIB實驗室的技術發展及應用能力。特別當工藝 來到16奈米(nm)以下的工藝 ，包裝型式多數為覆晶技術(Flip Chip)，因此FIB電路修補就必須從晶背來執行，整體困難度也隨之增加。

　　宜特進一步指出，7奈米(nm)先進工藝 的晶背電路修補，有兩個挑戰。第一，晶體管密度倍增：每平方毫米密度約是16nm工藝 的3.5倍，要穿越遍布于底層的晶體管進行修補困難度將大幅度提升;第二，薄且小的間隙：7奈米(nm)工藝 的金屬與介電層的間隙、寬度、厚度，多為40奈米(nm)或以下，面對薄且小的工藝 ，如何精準定位目標、清楚辨識電路及避免過度曝露金屬，更是修補技術能力重要關鍵。

　　宜特表示，宜特1994年成立，從IC芯片的FIB電路修補起家，2011年即提供40/28奈米(nm)先進工藝 電路修補技術，2015年時完成20/16奈米(nm)芯片正面的電路修補技術，并于2016年挑戰完成16奈米(nm)的IC 晶背(Backside)FIB電路修補技術。2018年完成12奈米(nm)修補。

　　今年，宜特FIB電路修補技術再突破，成功完成7奈米(nm)工藝 的back-side電路修補，協助先進工藝芯片設計業者在電路驗證、偵錯、失效分析上更直接、靈活且快速的選擇，加速產品上市時間(Time-To-Market)。

　　圖說:宜特FIB電路修補技術各階段里程碑