宜特晶圓減薄能力達(dá)1.5mil

隨5G、物聯(lián)網(wǎng)、電動(dòng)車蓬勃發(fā)展，對(duì)于低功耗要求越來越高，功率半導(dǎo)體成為這些產(chǎn)業(yè)勢(shì)不可擋的必備組件。宜特(TWSE: 3289)晶圓后端工藝廠的晶圓減薄能力也隨之精進(jìn)。宜特今(1/6)宣布，晶圓后端工藝廠（竹科二廠），通過客戶肯定，成功開發(fā)晶圓減薄達(dá)1.5mil(38um)技術(shù)，技術(shù)門坎大突破。同時(shí)，為更專注服務(wù)國(guó)際客戶，即日起成立宜錦股份有限公司(Prosperity Power Technology Inc)。

宜特指出，功率半導(dǎo)體進(jìn)行“減薄”，一直都是改善工藝，使得功率組件實(shí)現(xiàn)“低功耗、低輸入阻抗”最直接有效的方式。晶圓減薄除了有效減少后續(xù)封裝材料體積外，還可因降低RDS_(on)（導(dǎo)通阻抗）進(jìn)而減少熱能累積效應(yīng)，以增加芯片的使用壽命。

但如何在減薄工藝中降低晶圓厚度，又同時(shí)兼顧晶圓強(qiáng)度，避免破片率居高不下之風(fēng)險(xiǎn)自晶圓減薄最大的風(fēng)險(xiǎn)。

為解決此風(fēng)險(xiǎn)，iST宜特領(lǐng)先業(yè)界，已完成2mil(50um)、1.5mil(38um)，甚至到0.4mil(10um)減薄技術(shù)開發(fā)，iST宜特更藉由特殊的優(yōu)化工藝，在降低晶圓厚度的同時(shí)，也兼顧晶圓強(qiáng)度，可將研磨損傷層(Damage layer)降到最低。