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        Vishay最新推出高性能60 V TrenchFET? 第四代 N溝道功率MOSFET

        作者: 時間:2019-02-21 來源:電子產品世界 收藏

          2019年2月21日—日前, Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的60 V TrenchFET? 第四代 n溝道功率MOSFET--- Siliconix 專門用于提高功率轉換拓撲結構的效率,導通電阻比前代器件降低36%,同時柵極電荷和輸出電荷達到同類產品最低水平。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201902/397805.htm

          日前發布的器件10 V條件下最大導通電阻降至1.7 mW,柵極電荷僅為52 nC,輸出電荷為68 nC,COSS為992 pF。在功率轉換應用中,這款MOSFET的柵極電荷與導通電阻乘積和輸出電荷與導通電阻乘積優值系數 (FOM) 分別比前代器件降低32 %和45 %。MOSFET的COSS降低69 %。

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          改進了技術規格,經過調校最大限度降低導通和開關損耗。器件提高了AC/DC拓撲結構同步整流,隔離式DC/DC拓撲結構原邊和副邊開關效率,適用于太陽能微型逆變器和通信、服務器、醫療設備電源、電動工具和工業設備電機驅動控制、電池管理模塊的電池切換。

          MOSFET經過100% RG和UIS測試,符合RoHS標準,無鹵素。

          SiR626DP現可提供樣品并已實現量產。產品供貨周期為30周,視市場情況而定。



        關鍵詞: Vishay SiR626DP

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