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        Vishay最新推出高性能60 V TrenchFET? 第四代 N溝道功率MOSFET
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　2019年2月21日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款6.15 mm x 
5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的60 V TrenchFET? 第四代 n溝道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay 
Siliconix SiR626DP專門用于提高功率轉換拓撲結構的效率，導通電阻比前代器件降低36%，同時柵極電荷和輸出電荷達到同類產品最低水平。　　日前發布的器件10 V條件下最大導通電阻降至1
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        • 關鍵字：
                        Vishay  SiR626DP                          
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