存儲器風吹草動，國內廠商如何不“風聲鶴唳”？

　　對于無處不在的存儲器產業，任何“風吹草動”都會引發敏感猜想。而存儲器在連續兩年走高之際，開始掉頭釋放出下探信號，有分析宣稱DRAM需求逐漸趨緩，庫存、定價壓力與日俱增，而NAND閃存供過于求，價格將進一步走低，主導廠商三星、SK海力士亦推遲擴產來抑制價格下跌之勢。作為存儲器市場的兩大主力，DRAM、NAND為何同時來到下降基點?這對于國內如火如荼大舉壓境的廠商而言究竟是福是禍?

　　持續兩年上漲之后首次下探

　　作為名副其實的電子行業“原材料”，存儲器行業有著強周期特點，在經歷了幾十年的起伏之后，已基本形成了寡頭壟斷格局。在過去兩年，這些寡頭嘗到了不少的甜頭。

　　Gartner統計顯示，2017年存儲市場營收增加將近500億美元，市場規模達1300億美元，較2016年大增61.8%。與之相對應的是價格上漲之勢驚人，DRAMeXchange指出，2017年DRAM價格上漲超過四成，同期NAND的價格漲幅也近四成。NAND的主要市場為PC機內存(如DDR)和手機內存(如LPDDR)。

　　由此，存儲器王者三星得償夙愿，憑借存儲價格的高漲，取代霸占半導體營收排名榜首20多年的英特爾，成為新的半導體霸主。要知道，2017年光是三星的存儲營收就增加近200億美元。

　　今年第一和第二季度，DRAM依然持上漲之勢，三星、SK海力士和美光等廠商也都先后宣布了擴產計劃。但最近局面似乎有所轉變：相關分析師指出，存儲器價格走低，一方面是PC、移動設備和數據中心這三大應用產品的需求動能在過去幾周明顯趨緩，這恐怕會讓第三季度報價一路走低。另一方面，由于需求降溫的關系，三星、SK 海力士的庫存也在增加。

　　表現在DRAM層面，RBC分析師Amit Daryanani認為由于三星、SK海力士增產的影響，預估2018年、2019年的DRAM供給量將分別上揚20%、20-25%。這將為市場帶來壓力，而需求也將相對收縮，外資相繼調降美光目標價，并預計美光2019會計年度的毛利率，將因NAND、DRAM均價受挫而萎縮約200個基點。

　　NAND遭遇了同樣困境。Baird分析師Tristan Gerra指出，下半年智能手機市場出貨表現將相對疲弱，NAND閃存的供給過剩情況將日益惡化。因而有分析師說2019年上半年NAND價格將重挫11~13%，而且這位分析師認為目前的存儲定價周期與2014年末到2015年初情況相似，當時也出現存儲器需求大跌的狀況。

　　這也引發產業鏈相關企業股市應聲下跌，不止是美光，相應的設備股、封測股也均受到波及，顯示市場對一波行情的一致看衰。

　　以延后擴產應對

　　雖然有關廠商以及相關協會仍強調存儲器的需求會持續強勁，但此時的價格松動究竟是市場一時“興起”，還是整體下滑開始的一個發端?從全球來看，存儲器行業一直處于周期性波動中，甚至出現遠高于半導體產業平均值的巨幅波動，宏觀經濟、應用走勢、供給策略等都在影響存儲器的波形。

　　對于這一走向，知名半導體專家莫大康分析說，存儲器價格起伏是正常，不可能持續像2017年那樣瘋漲，所以價格下降是正常。

　　與之相呼應的是，頭部廠商不約而同的對策。DRAM經過幾十年的周期循環后，玩家從80年代的40~50家，已巨變成為三星、SK海力士和美光三強。而在NAND閃存陣列中，也已是三星、東芝/閃迪、西部數據、美光和SK海力士的天下。

　　據悉，三星與SK海力士已在延后擴產。在上月中，三星宣布，將原訂本季完成每月增產3萬片DRAM計劃延至今年底。這一舉措有需求放緩要為DRAM價格形成支撐的因素，但或亦有技術難度提升需要時間解決良率問題的原因。

　　同時，消息人士稱三星也在放慢3D NAND閃存產能擴張的計劃，新產能難以在2019年上半年上線。

　　由于三星和SK海力士對全球的存儲市場擁有很高的市場份額，他們的這些決定釋放出很強的信號。這對正在緊鑼密鼓量產的國內廠商而言，究竟有何波及效應?

　　國內廠商加緊備戰

　　由于國內在存儲器領域基本沒有話語權，因而存儲器的大幅度漲價讓中國著實 “很受傷”。記者查閱資料發現，2016年7月，一個DDR4-2133 DRAM芯片的平均合同價格為1.31美元;而到現在，行情已上漲至7.56美元，這樣的“飛躍”實在難以承受。

　　因而，一方面，在國家政策和資金扶持下的中國存儲企業正在快馬加鞭加快量產;另一方面，則在加強進行反壟斷調查。由于三星、SK海力士與美光在DRAM市場囊括約96%的市場占有率，繼去年年底三星遭發改委約談之后，中國反壟斷機構前幾個月前又約談了美光。未來反壟斷調查的事件可能將持續發生，并或從側面抑制存儲器漲幅。

　　今年對于中國存儲產業而言是關鍵節點，在NAND閃存為主的長江存儲、專注于手機內存的合肥長鑫以及利基型內存的福建晉華三大陣營中，量產正開足馬力加快進行。

　　從進度來看，長江存儲將在2018年底量產32層64G的NAND 閃存，2019年量產64層128G，并同步研發128層256G。在DRAM方面，合肥長鑫計劃于2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年第三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產能將達到2萬片/月。而福建晉華正使用12英寸晶圓制造DRAM，最快9月試產。

　　如果這些產能都如期釋放，而屆時市場供過于求之勢不減，那么價格戰將一觸即發，這意味著對存儲器行業的高額投入在短期內并不能帶來可觀回報，國內廠商能否耐得住虧損，不斷加強后續的資金投入?畢竟這種挑戰當是常態。更何況，誠如莫大康所言，實現量產只是第一步，關鍵要看年銷售額是否能接近10億美元，產能達4萬片/月。這才能表明生產線能立足，而何時能實現亦是一大問題。

　　短時間內，中國存儲企業并不會對三星、美光等構成威脅，但隨著中國存儲產業的快速推進，這些廠商將舉起價格戰、專利訴訟戰甚至反周期戰的大棒不斷夾擊，在這一拉鋸戰中，國內三大廠商要沖鋒“技術自主研發”與“穩定量產規模”兩大“高地”仍需時間的磨練，真正逆襲依然面臨諸多挑戰。但目前存儲器已到了歷史轉移的節點上，把握這一機遇，由逆向設計到創新，由低端到高端，已是國內存儲器業的必然之路，唯有義無反顧。