NandFLASH和NorFLASH接口設計和驅(qū)動開發(fā)
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2．3 NorFLASH的接口設計
系統(tǒng)用的NorFLASH芯片是Atmel公司開發(fā)的AT49BV1614A，存儲空間為16 MB，在系統(tǒng)中常用于存放代碼，系統(tǒng)上電或復位后獲得指令開始執(zhí)行，因此，應將其配置到Bank0，將AT49BV1614A的片選端nCE接至 S3C2410的nGCS0；AT49BVl614A的輸出使能端nOE接S3C2410的nOE；寫使能端nWE接S3C2410的nWBE0；將模式選擇nBYTE上拉，使AT49BV1614A工作在 16 位數(shù)據(jù)模式。AT49BV1614A地址總線A[19～0]和S3C2410的地址總線ADDR[20 ～1相連，16位數(shù)據(jù)總線DQ[15～0]和S3C2410的低16位數(shù)據(jù)總線DATA[15~0]相連。本文引用地址：http://www.104case.com/article/201809/389000.htm
2. 4 NorFLASH在系統(tǒng)中的具體操作
以AT49BV1614A芯片時序圖為例，具體說明NorFLASH的寫操作，如圖2所示。
CLE信號有效時系統(tǒng)通過I／O口向命令寄存器發(fā)送命令00H，此時WE為低電平，寫操作有效，NandFLASH處于寫狀態(tài)。發(fā)送命令后，接著發(fā)送要讀的地址，該操作將占用WE的1，2，3，4四個周期，發(fā)送地址信息時，CLE為低電平，ALE為高電平。地址信息發(fā)送完畢后，不能立刻讀取數(shù)據(jù)，因為此時芯片正處于BUSY(忙)狀態(tài)，需要等待2～20 ms，之后，才能開始數(shù)據(jù)讀取。此時WE為高電平，處于無效狀態(tài)，CE片選信號也始終為低以表明選中該芯片。
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