紫光國微：國產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片預(yù)計(jì)年底推向市場(chǎng)

　　國產(chǎn)內(nèi)存制造商紫光國微在深交所互動(dòng)平臺(tái)上表示，目前國產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片正在順利研發(fā)中，紫光國微預(yù)計(jì)今年底就可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場(chǎng)。

　　之前紫光國微副總裁杜林虎已經(jīng)表示，未來紫光國微會(huì)在DRAM存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品方面加大投入，對(duì)于公司來說，DDR3內(nèi)存芯片是主流，而DDR4芯片會(huì)在年內(nèi)完成設(shè)計(jì)和生產(chǎn)。

　　紫光DDR4內(nèi)存采用DIMM(U-DIMM)和SO-DIMM開發(fā)。U型DIMM是“SCQ04GU03AF1C-21P”、“SCQ04GE03AF1C-21P”，SO-DIMM的2個(gè)型號(hào)為“SCQ04GS03AF1C-21P”、“SCQ08GS13AF1C-21P”。