基于J750EX測試系統的SRAM VDSR32M32測試技術研究

引腳定義

B. 對DC測試項進行定義包括DC Spec、Pin Levels等，此項不需進行Pattern編輯;

C. 編輯pattern所使用的function測試項VOL,VOH,時序參數包括AC Spec、Time Sets、Test Instance等編輯。

測試界面編輯

3.4VDSR16M32的功能測試

針對SRAM等存儲單元陣列的各類故障模型，如陣列中一個或多個單元的一位或多位固定為0或固定為1故障(Stuck at 0 or 1 fault)、陣列中一個或多個單元固定開路故障(Stuck open fault)、狀態轉換故障(Transition fault)、數據保持故障(Data maintaining fault)、狀態耦合故障(Coupling fault)等，有相應的多種算法用于對各種故障類型加以測試，本文采用棋盤格CHECKBOARD、全0、全1的測試吧算法。

不論何種算法，對于大容量的存儲器來說，測試矢量的長度也會隨其容量的增加而遞增，相應地，測試時間隨之增長。對此，J750EX測試系統的DSIO模塊可以提供一個很好的解決方案。

3.5VDSR32M32的電性能測試

針對SRAM類存儲器件，其電性測試內容主要有管腳連通性測試(continuity)、管腳漏電流測試(leakage)，管腳工作電流測試(ICC)、休眠電流(ISB)、輸出高/低電平測試(voh/vol)，時序參數測試(TAA、TACS、TOE等)。

1)PMU簡介

PMU即為Parametric Measurement Unit，可以將其想象為一個電壓表，它可以連接到任一個器件管腳上，并通過force電流去測量電壓或force電壓去測量電流來完成參數測量工作。當PMU設置為force 電流模式時，在電流上升或下降時，一旦達到系統規定的值，PMU Buffer就開始工作，即可輸出通過force電流測得的電壓值。同理，當PMU設置為force 電壓模式時， PMU Buffer會驅動一個電平，這時便可測得相應的電流值。SRAM 器件的管腳連通性測試(continuity)、漏電流測試(leakage)、voh/vol測試均采用這樣的方法進行。

2)VDSR32M32的工作電流測試((ICC)、休眠電流(ISB)、時序參數測試(TAA、TACS、TOE)

VDSR32M32的休眠電流測試不需要編寫pattern測試，而工作電流測試需要測試pattern，，需要注意的是測試靜態電流時器件的片選控制信號需置成vcc狀態，測試動態電流時負載電流(ioh/iol)需設為0 ma。

對時序參數進行測試時， pattern測試是必不可少的，并需要在Time Sets,Characterization進行相應的時序參數設置。

下圖為測試項目界面：

參考文獻：

[1] Neamen,D.A.電子電路分析與設計——模擬電子技術[M]。清華大學出版社。2009：118-167.

[2] 珠海歐比特控制工程股份有限公司. VDMR4M08使用說明書[Z]. 2013.