5G高頻讓氮化鎵放光彩 硅基氮化鎵將進入量產

　　5G高頻率特性讓氮化鎵(GaN)半導體制程成為功率放大器(PA)市場主流技術，同時，GaN功率元件也開始被大量應用在車聯網及電動車領域。看好GaN市場強勁成長爆發力，世界先進(5347)經過3年研發布局，今年硅基氮化鎵(GaN-on-Si)制程將進入量產，成為全球第一家提供8吋GaN晶圓代工的業者，大啖5G及車電市場大餅。

　　臺積電及世界先進近年來積極投入GaN制程研發，今年可望開花結果，合力搶進快速成長的GaN晶圓代工市場。臺積電與德商戴樂格(Dialog)等客戶合作，已開始提供6吋GaN晶圓代工服務;世界先進與設備材料廠Kyma、轉投資GaN硅基板廠QROMIS攜手合作，去年底已成功試產8吋GaN晶圓，今年將成為全球首家提供8吋GaN晶圓代工服務的業者。

　　相較于硅制程及砷化鎵(GaAs)等成熟半導體技術，GaN是相對較新的制程。隨著5G技術即將全面商用，基地臺升級商機龐大，由于5G技術上采用更高操作頻率，業界對于GaN元件將逐步取代橫向擴散金氧半導體(LDMOS)并成為市場主流技術已有高度共識。另外，在手機PA元件部份，3G及4G主要采用GaAs制程，5G因為高頻的關系，讓GaN制程的PA元件很有機會成為市場新主流。

　　市調機構拓墣指出，GaN因具備耐高溫與適合在高頻操作下的優勢，不僅可使晶片面積可大幅減少，并能簡化周邊電路的設計。同時，低導通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運轉時的能源轉換損失，對于電動車續航力的提升有相當的幫助。

　　在射頻及PA元件、與車用電子等相關晶片市場中，包括恩智浦、英飛凌、德儀等IDM廠位居主導地位，但在GaN技術上，IDM廠反而開始透過晶圓代工廠取得產能。也因此，世界先進順利搶進8吋GaN晶圓代工市場，可望爭取到更多5G及車電等相關晶圓代工訂單。

　　世界先進去年合并營收年減3.6%達249.10億元，歸屬母公司稅后凈利年18.7%達45.05億元，每股凈利2.75元，符合市場預期。世界先進董事會決議今年每普通股擬配發3元現金股利。由于8吋晶圓代工產能吃緊，加上硅晶圓價格看漲，世界先進與客戶協商后已小幅調漲第一季晶圓代工價格，由于產能全年供不應求，價格應可逐季調漲，有助于營收及獲利表現。