國家存儲器基地一期提前封頂 年產值可達100億美元

　　9月28日消息，由紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北省集成電路產業投資基金、湖北科投共同投資建設的國家存儲器基地項目(一期)一號生產及動力廠房，實現提前封頂。

　　趙偉國表示，存儲器基地項目是中國集成電路存儲芯片產業規模化發展“零”的突破，相當于中國科技領域的遼寧號航空母艦出海試航。該項目實現提前封頂，這是為不辱使命、堅定不移推進國家戰略所必須要做到的。客觀地說，我們在核心技術和產品結構上仍然與世界一流水平存在差距，實現追趕超越的目標絕非一朝一夕，需要堅定的戰略定力和耐力，以及矢志不渝的長期投入;而另一方面，從現在開始到未來的5-10年，也正是中國集成電路產業發展的最佳窗口期。既然選擇了存儲芯片作為切入點和突破口，紫光集團和長江存儲就一定要抓住機遇，直面挑戰，知難而上，通過超常規的投入縮短發展周期，迅速登上全球存儲行業的競爭舞臺。

　　據悉，國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區的武漢未來科技城，項目一期規劃投資240億美元，占地面積1968畝，于2016年12月30日正式開工建設，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash生產廠房，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。

　　此次提前封頂的項目(一期)一號生產及動力廠房建筑面積達52.4萬㎡，預計將于2018年投入使用。項目(一期)達產后，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。