超低功耗CBRAM存儲器技術　或能加速IoT應用發展

　　屬于非揮發性存儲器的快閃存儲器(flash memory)過去在智能手機、平板電腦等市場需求的帶動下，快閃存儲器產業快速成長，然隨著快閃存儲器技術逐漸瀕臨尺寸與性能極限，各式新存儲器技術陸續浮上臺面，導電橋式隨機存取存儲器(conductive- bridging RAM;CBRAM)就是相當被看好的接班技術之一。

　　The Daily Reckoning網站報導，過去幾10年來，半導體技術的重大進展多是來自于微縮，然隨著每次的微縮，快閃存儲器都會變得更不可靠，且這種以電荷儲存為基礎的存儲器技術也會變得更加耗電，對于正在起飛的物聯網(IoT)應用而言，恐怕還得仰賴新一代的存儲器技術來滿足其超低功耗之需求。

　　在各種新存儲器技術當中，由美國亞歷桑納州立大學(Arizona State University)所開發出的導電橋式隨機存取存儲器也開始嶄露頭角，該技術屬于電阻式存儲器，主要是利用記憶元件電阻之大小作為資訊儲存狀態判讀之依據，不同的電阻代表不同的儲存狀態，其在存取速度及能耗表現上都優于快取存儲器，被視為最有潛力成為下一世代的非揮發性存儲器元件之一。

　　在應用上，導電橋式隨機存取存儲器的資料寫入速度是快閃存儲器的20倍，且執行該任務時的耗電量也比快閃存儲器低10~100倍，對于極度要求低功耗的IoT應用而言，可說是非常重要的特性。

　　目前多種不同的產業中的大廠產品已可見到導電橋式隨機存取存儲器的蹤跡，包括汽車零組件之Delphi Automotive、消費性電子產品之Garmin、Roku、通訊之三星電子(Samsung Electronics)、博通(Broadcom)、醫療裝置之嬌生(Johnson & Johnson)及GE(General Electric)、個人電腦之戴爾(Dell)、惠普(HP)及聯想等。

　　由于CBRAM屬于通用的存儲器技術，舉凡穿戴式裝置、感應器節點、智能電表(smart meter)、相機等皆可采用此技術，應用的范圍非常廣，能為市場上提供速度更快、能源效率更好的存儲器解決方案，并可望為IoT發展帶來新動力。