1970-2017 DRAM芯片市場的生死搏殺

　　行業高度壟斷——韓國三星獨占鰲頭

　　我們來看看市場情況，就知道中國為什么非要進攻DRAM市場了。半導體存儲器主要應用于臺式電腦、筆記本電腦、手機、平板電腦、固態硬盤、閃存等領域，包括DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大類。2015年全球半導體存儲器銷售總額達772億美元。在全球3352億美元的集成電路產業中，占據23%的份額，是極為重要的產業核心部件。

　　其中DRAM內存主要用于臺式電腦、筆記本電腦，全球市場規模約420億美元，目前被韓國三星、海力士和美國鎂光三家壟斷，占據90%以上的份額。從1992年以來，韓國三星在DRAM市場已經連續25年蟬聯世界第一，占據絕對壟斷地位，市占率超過60%。似乎無人可以撼動它的地位。

　　NAND Flash閃存主要用于手機存儲、平板電腦、SSD固態硬盤、大容量閃存，全球市場規模約300億美元，壟斷形勢更加嚴重。韓國三星、海力士、美國鎂光、英特爾、閃迪、日本東芝六家廠商，壟斷了全球99%的產量。其中僅三星、海力士、東芝三家，就占了80%以上的份額。NOR Flash閃存屬于小眾產品，主要用于16M以下的小容量閃存，全球市場規模只有30億美元，由美國鎂光、韓國三星、臺灣旺宏、華邦、中國大陸的兆易創新等7家企業瓜分。

　　行業高度壟斷造成的結果，是前三大廠商可以輕易操縱產量和價格，用低價來擠垮競爭對手，或用漲價來謀取暴利。2016年由于全球內存芯片缺貨，三星電子營業收入達到809億美元，利潤高達270億美元。韓國海力士收入142億美元，美國鎂光收入128億美元。

　　而中國廠商深受其害。中國是世界最大的電子產品制造國。2016年，光是中國就是生產了3.314億臺電腦，21億臺手機(其中智能手機占15億臺)，1.78億臺平板電腦。與之相對應，2016年，中國進口DRAM產品超過130億美元。中國需要的存儲器芯片9成以上需要進口。國內DRAM產能也掌握在韓國海力士等外資廠商手中。

　　2015年起，美國鎂光(Micron)，在新加坡Woodlands投資40億美元，擴建Fab 10X晶圓廠，主要生產第二代32層堆疊3D NAND閃存。2017年建成后，月產能14萬片晶圓，采用16納米工藝。

　　有錢都買不到——那就自己造吧

　　在外資廠商故意操縱下，華為、中興、小米、聯想等中國手機、PC廠商，經常遇到DRAM缺貨情況。而在中國國內，僅有中芯國際具備少量DRAM產能，根本無法實現進口替代。更嚴重的事例還有：2016年3月，美國政府下令制裁中國中興通訊，禁止美國廠商給中興提供元器件。這種情況簡直讓人不寒而栗。2017年4月，華為手機爆出閃存門事件。事情的根源，實際就是華為手機用的NAND Flash內存嚴重缺貨。

　　怎么辦呢?有錢可以買吧?2015年7月，中國紫光集團向全球第三大DRAM廠商，美國鎂光科技，提出230億美元的收購要約。結果被鎂光拒絕了，理由是擔心美國政府，會以信息安全方面的考慮，阻撓這項交易。

　　那就自己造吧。于是從2016年起，中國掀起了一場DRAM產業投資風暴。紫光集團宣布投資240億美元，在武漢建設國家存儲器基地(武漢新芯二期12英寸晶圓DRAM廠)，占地超過1平方公里，2018年一期建成月產能20萬片，預計到2020年建成月產能30萬片，年產值超過100億美元。計劃2030年建成月產能100萬片。福建晉華集團與聯華電子合作，一期投資370億元，在晉江建設12英寸晶圓DRAM廠，2018年建成月產能6萬片，年產值12億美元。規劃到2025年四期建成月產能24萬片。合肥長鑫投資494億(72億美元)，2018年建成月產能12.5萬片。

　　2017年1月，紫光集團宣布投資300億美元(約2000億人民幣)，在江蘇南京投資建設半導體存儲基地，一期投資100億美元，建成月產能10萬片，主要生產3D NAND FLASH(閃存)、DRAM存儲芯片。

　　上述四個項目總投資超過660億美元(4450億元人民幣)。確實有點瘋狂。

　　但是只要認真研究過去半個世紀，世界DRAM產業的發展歷史，就會讓人看清一件事情。

　　——拿錢砸死對手，少砸一點就會死!不相信的都死了!

　　2016年6月，美國IBM實驗室的研究人員Janusz Nowak，向記者展示新型的磁性儲藏器(STT-MRAM)12寸晶圓。磁性內存既有DRAM和SRAM的高性能，又有閃存的低功耗和低成本，被認為具有競爭下一代內存的潛力，但是還存在很多問題。

　　2017年6月，韓國三星電子宣布，開始在平澤工廠(Fab18)，批量生產64層堆疊的256Gb第四代TLC V-NAND內存產品。三星目前V-NAND占整體NAND Flash產能的70%以上，擁有500多項專利。