中國發展存儲器產業 觸動了韓國的神經？

　中國大陸存儲將面臨更大壓力

　　從上面的介紹中我們得知，存儲產業主要由DRAM 和FLASH 兩種產品組成。而在這兩方面，韓國兩家企業都有領先的優勢，這些都不可能是一蹴而就的。

　　首先從成本上分析一下。

　　研究機構Bernstein Research 表示，存儲產業為典型資本密集與技術密集產業。先從資本談起，光土地、廠房不含設備，可能就得耗掉32~42 億人民幣，研究機構Bernstein 預估，若要取得DRAM 或NAND Flash 其中一個市場的一席之地，至少需15% 左右的市占，以2014 年第四季產能來估算，一個月產出得達20 萬片(資本支出大約在200 億美元，約1352 億人民幣左右)。

　　在追逐市占的過程中，若產能一個月增加到20 萬片的幅度，市場將出現超額供給，對于初期生產成本較高的新進者而言，價格會掉到成本以下，新進者即便前面16~ 24 個月之間投入200 億美元以上的資本支出，十年內仍會落后產業先進者一個世代以上。

　　Bernstein 預估，新進者投入DRAM 產業，將得承受前面十年400 億美元(約2703 億人民幣)的虧損，投入NAND 產業前面十年也要有面臨350 億美元(約2365 億人民幣)損失的心理準備。

　　因此從資金投入上看，對中國存儲產業的發展就是一個大挑戰。雖然有國家的支持，但這也是一筆不少的支出。

　　其次就是技術。

　　我們知道三星和SK 海力士能夠從諸多競爭對手中突圍而出，除了其雄厚的資金做支持外，他們在技術上面的積累也異常重要。韓國半導體業界普遍認為，中國大陸在DRAM 和NAND Flash 的技術與三星電子和SK 海力士的技術相差甚遠，難以在短時間內趕上。

　　這不但體現在其技術、基礎積累，更體現在其專利上。三星等企業已經在存儲器方面布下了嚴密的專利網，對于中國企業來說，是一個巨大的挑戰。

　　很多國內媒體認為，3D NAND Flash 會是中國的突圍方向。我們不妨來看一下這方面的差距。

　　現在各家半導體大廠的3D NAND 技術早已如火如荼在開發中，目前進入32 層堆疊技術，業界都認為2017 年下半是3D NAND 產能大量開出之時，目前看來時間點是對的，但各家半導體大場面臨的考驗恐怕會比預期艱巨數倍。

　　過去平面NAND Flash 芯片朝兩方面前進，一是陸續有SLC 、MLC 、TLC 型NAND Flash 芯片的演進來提高儲存容量并降低成本;二是制程技術不斷往前，目前已經進入18/16/15 納米制程，但無法否認的是，技術前進的同時，其NAND Flash 的氧化層越薄，芯片可靠性是遞減的，因此需要用額外的方式來增強效能，這又使得成本提升，因此，平面NAND Flash 技術已無法滿足市場需求，開始進入3D NAND 時代。

　　進入3D NAND 技術后，制程技術的演進成為其次，堆疊層數才是重點，層數越高會使儲存容量越大。不過，當堆疊層數越高時，各層對準的技術就很困難，定位技術必須做的好，因為堆越高會越難對準。

　　三星曾對外表示，不久將來會看到100 層堆疊的技術出現。根據業界進度，2017 年3D NAND 技術會到80 層，2020 年到100 層，至于3D NAND 技術的堆疊極限在哪里里，各界也有不同的看法，有人甚至認為可堆到200 層，但以目前技術挑戰而言，真的堆疊到200 層，恐怕對準的精準度是很大考驗，可能良率也不見得太好，即使是2020 年到100 層，恐怕難度都很高。

　　三星在3D NAND 技術世代上仍是龍頭廠，是全球第一家量產3D NAND 技術的半導體廠，技術演進也最扎實。三星在2013 年推出24 層疊的3D NAND 芯片，之后32 層堆疊、48 層堆疊的芯片陸續問世。

　　三星計劃今年第4 季轉進第四代64 層堆疊技術的3D NAND 芯片，估計每片晶圓的儲存容量再提高30% ，意味成本持續下降，三星也對外指出，100 層堆疊以上的技術不是夢。

　　而在DRAM 方面，同樣以三星為例。

　　BusinessKorea 31 日報導，半導體產業透露，三星內存部門今年初量產18納米制程DRAM ，準備在明年下半生產15 、16 納米DRAM 。同時，該公司將拉高18 納米DRAM 占整體DRAM 的生產比重，目標明年下半提高至30~40% 。相關人士說，明年三星10 納米等級DRAM ，將占整體DRAM 生產的一半。

　　研究估計，當前三星DRAM 生產以20 納米為主、占82% ，18 納米僅占12% 。

　　三星制程微縮進展比原先預期更為快速，內存部門主管Chung Eun-seung 2015 年初暗示，2020 年將量產10 納米等級DRAM ，如今看來，應該2019 年初就能達成目標。

　　本身三星的SK 海力士的發展是由韓國政府在背后的支持而發展起來的，在中國在效仿韓日，想打造自己的存儲產業的時候，甚至用九倍年薪從韓國挖人，積累技術儲備的時候，上任以來一直在打擊三星的樸槿惠政府這時候走出來支持三星和SK 海力士，無疑釋放出了一個明顯的信號，政府支持三星和SK海力士對抗來自中國的威脅，雖然十幾億人民幣的基金跟中國上千億的基金規模沒得比，但是由于其本身的技術積累，對于中國存儲來說，韓國政府的這個做法，也會讓其感到不安。

　　難道當年韓國打擊臺灣DRAM 發展的故事又將重演?

　　在2008 年金融海嘯發生以后，當年臺灣DRAM 技術的主要來源無能力投入更多的資金進行研發之時，三星李健熙逮到機會，執行三星最常用的逆勢投資法，在臺日兩國停止投資后，反而增加資本支出、強化研發支出，加速推進制程技術及價格戰，這也造成后來爾必達及臺灣DRAM 廠紛紛宣布破產下市。

　　中國在各個方面技術還不如臺灣的情況下，這下在面臨的挑戰無疑是更加巨大了。

　　雖然面臨的挑戰依然巨大，但對于中國半導體產業來說，存儲的重要性是毋庸置疑的，因此多艱難也要砥礪前行。中國大陸或可繼承臺灣未竟之事業，打造真正的中國存儲。