IBM擘劃快閃存儲器開發(fā)藍圖

IBM預計將在明年利用新創(chuàng)公司Diablo Technologies的技術，為伺服器雙列直插式記憶體模組(DIMM)插槽加入 NAND 快閃記憶體(flash)。該公司并計劃在 DIMM 埠中采用自行設計的控制器晶片。

此外，IBM并加倍擴增去年從Texas Memory Systems公司收購而來的 flash 控制器設計團隊規(guī)模。預計在今年年底前，該團隊將為其最佳化的儲存陣列推出增強版控制器，并搭配東芝 NAND 晶片共同使用。該公司期望未來版本的控制器能與任何供應商的 flash 晶片搭配使用。

IBM由收購Texas Memory組成的最新事業(yè)部──IBM Flash System副總裁Michael Kuhn分享了該公司在 flash 業(yè)務方面的開發(fā)藍圖。

IBM的客戶多半都必須「因應各種不同的 flash 部署模式」，Kuhn說。

用途包括插入于 SATA 的直連式固態(tài)硬碟以及硬碟用序列式 SCSI 介面、搭配 Fusion-IO 與 LSI 的 PCI Express 插槽，以及目前的 DIMM 。

Kuhn表示：「我想你將會在2014年時看到 flash 在 DIMM 插槽中的應用。明年我們將采用 Diablo 控制器以及我們自行開發(fā)的控制器展開一些工作。」

英特爾(Intel)固態(tài)硬碟專家Knut Grimsrud則看淡 DIMM插槽應用于快閃記憶體的重要性。他指出，該介面并未能比PCI Express提供更好的速度與延遲特性比，因而為 flash 晶片的存取時間帶來一些瓶頸。此外，除非 flash DIMM 持援隨機存取，否則在應用上十分有限。

IBM的Texas Memory產(chǎn)品系列則采取不同的方法，專注于更高的容量與更廣泛的系統(tǒng)管理功能──在Fibre Channel 或 Infiniband 儲存網(wǎng)路上的1U機箱上插入高達20TB的 flash 。Kuhn指出，IBM未來還將提供可插入于 FCoE 網(wǎng)路的產(chǎn)品系列。

新的3級單元 flash 晶片類型也為 flash 子系統(tǒng)開啟了一些新選擇。Kuhn預測， IBM Research與其它單位正開發(fā)的相變記憶體將在2016年上市。

同時，IBM在 flash 領域面臨的競爭來自于EMC等現(xiàn)有的大型供應商，以及新創(chuàng)公司，如Violin Memory等。此外，NetApp也預計在明年推出自家 flash 陣列。