存儲器國產化？堅持下去才有希望
加入技術交流群
編者按：投資沒耐心是制約中國半導體發展的重要因素，很多投資人或企業想要三五年就獲得回報，很難實現，半導體制造行業投資成功在中國可能需要十年左右的時間，不過拋開主觀愿望，中國要想真正建立屬于自己的記憶體產業，還需要可靠的知識產權來源與工程技術人才。
3DNAND閃存在全球競爭的態勢是工藝制程水平20-40納米，在成熟工藝范圍。除了三星己達256Gb，48層之外，其它對手們幾乎都在追趕。隨著CVD工藝淀積層數的增多，困難在于高深寬比的付蝕，目前看到在64層時，要達到60：1及70：1的付蝕已經很難。所以這個球己踢給設備供應商，它們要獲得訂單必須要為客戶解決難關。而據來自半導體設備廠的消息，未來128層尚有希望。這樣在對手之間的差異性并不很大，因此我們尚有一線成功的希望。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/201607/294068.htm不管如何，現階段的自行研發一定要加緊突破，32層及48層都是前進中的關鍵點，而且一定要把研發與量產結合在一起，改變之前兩者脫節的弊病。同時要充分利用好設備制造商，它們手中握有許多關鍵工藝技術，在提供設備的同時與我們分享。
未來它們對付中國的方法可能是首先打IP戰，控制技術與人材流失，以及最后一招是打價格戰，讓中國的企業在財務方面無法承受。因此現階段對手們是集體的“袖手旁觀”，等著看中國出錯，最好是讓我們知難而退。
對于中國存儲器芯片制造項目，一定是場艱難的仗。預計無論是3DNAND閃存，或者是利基型DRAM，首先中國要解決的是從無到有的問題，相信是完全可能的，然而由于采用技術的不同，以及制造成本方面的顯著差異，未來可能的痛點是在面臨巨額虧損下不動搖，不氣餒，只有堅持下去才有成功的希望。在此點上需要決策層面早有充分的預案與準備。
引用麥肯錫亞太區半導體咨詢業務負責人唐睿思說，“我一直在強調一個重點，就是要有長期的耐心資本，需等待很長時間才能見效，不是一夜之間就有大突破而更多的是逐年會有進步，執行力更好、有更多業務……在半導體行業成功是沒有捷徑的!”
評論