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        三星出招太狠毒、DRAM恐剩一家獨(dú)活

        作者: 時(shí)間:2016-04-13 來源:精實(shí)新聞 收藏
        編者按:三星量產(chǎn)18nm DRAM,生產(chǎn)成本的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)拉大,就算DRAM價(jià)格繼續(xù) 下滑,其他業(yè)者陷入虧損,三星仍能維持獲利,這招比較狠。

          記憶體產(chǎn)業(yè)整合,外界本以為三大廠能和平共存,坐享更高獲利,沒想到電子趁著對(duì)手SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米不順之際,增產(chǎn)搶市占,意圖趕盡殺絕。Bernstein Research悲觀預(yù)測(cè),下手太狠,恐怕只剩一家獨(dú)活。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201604/289576.htm

          巴倫(Barronˋs)網(wǎng)站兩篇報(bào)導(dǎo)指 出,Bernstein分析師Mark Newman表示,制程微縮難度高,美光和SK海力士都在20奈米遇到瓶頸,原先預(yù)期記憶體產(chǎn)出將因此大減,沒想到三星在一旁虎視眈眈,趁著對(duì)手碰壁時(shí), 奪取市占。僅剩三大廠,通常產(chǎn)業(yè)整合后,大家會(huì)較為節(jié)制,結(jié)果三星非但沒松手,還想把市占從當(dāng)前的40%、提高至近50%。

          三 星透過拉大技術(shù)差距,搶下市占,DRAM方面,三星增加20奈米產(chǎn)出、并將擴(kuò)大量產(chǎn)18奈米。在NAND領(lǐng)域也強(qiáng)化了3D NAND的領(lǐng)先地位。Newman痛批,三星行為投機(jī)、比預(yù)想更為激烈,完全不顧對(duì)手,或許會(huì)永久摧毀同業(yè)間的信任感。他估計(jì),三星可能是DRAM業(yè)的唯 一幸存者。

          記憶體業(yè)者自相殘殺,等到中國(guó)廠商進(jìn)入市場(chǎng),情況將急轉(zhuǎn)直下。報(bào)告稱,中國(guó)可能是足以顛覆市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)者,他們財(cái)力雄厚,等到供 給上線后,市況將慘不忍睹。武漢新芯(XMC)的3D NAND技術(shù)大約落后領(lǐng)先廠商4~5年,他們打算狂燒資本加緊追趕,等到量產(chǎn)之后,市場(chǎng)供給過剩將更加惡化。

          韓媒etnews、韓國(guó)時(shí)報(bào) 3月底報(bào)導(dǎo),業(yè)界人士透露,三星韓國(guó)華城工廠生產(chǎn)的18奈米DRAM,已經(jīng)開始出貨,將供貨給蘋果。消息人士說,兩年前三星率先量產(chǎn)20奈米DRAM,如 今三星再次領(lǐng)先業(yè)界,第一個(gè)商用化18奈米DRAM。據(jù)了解,18奈米DRAM初期產(chǎn)量不大,三星已經(jīng)增訂設(shè)備,預(yù)計(jì)夏天過后產(chǎn)量將會(huì)增加。早期供貨主要 用于PC,之后將生產(chǎn)伺服器和行動(dòng)裝置用的DRAM。

          Daishin Securities研究員Kim Kyung-min說,由結(jié)果看來,韓廠和美光科技落差極大。美光DRAM技術(shù)落后三星兩年以上,恐需憂慮是否會(huì)立刻出現(xiàn)虧損。



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