三星開始量產10nm級DRAM，采用ArF液浸四重曝光

　　韓國三星電子2016年4月5日宣布，開始量產采用10nm級工藝制造的首款DRAM芯片。新產品為DDR4型8Mbit產品。

　　此次發布的DDR4型DRAM芯片采用10nm級(1x)工藝制造。三星面向此次的芯片，新開發了自主設計的新存儲單元結構、四重曝光(Quadruple Patterning Technology)技術、采用極薄絕緣膜形成技術制作的厚度均勻的存儲電容等。由此，無需使用EUV裝置，可利用現有的液浸ArF裝置量產。三星還預定將此次的技術用于下一代10nm(1y)工藝的開發。

　　新款DRAM芯片支持3200Mbps的速度，較現有20nm級DDR4型芯片的2400Mbps提高了30%，而耗電量削減了10～20%。三星預定在不久的將來開發采用此次的10nm級工藝的移動DRAM。

　　該公司還將采用以此次的8Gbit產品為首的10nm級DDR4型DRAM芯片生產存儲器模塊(內存條)。將面向筆記本電腦推出4GB的模塊，面向企業服務器推出128GB的模塊。之前采用20nm級DRAM的DDR4型DRAM內存將在2016年內陸續換成10nm級產品。