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        Mentor增強7nm制程初期設計開發(fā)

        作者: 時間:2016-04-05 來源:eettaiwan 收藏

          Graphics藉由完成臺積電(TSMC)10奈米FinFETV1.0認證,進一步增強和優(yōu)化Calibre平臺和AnalogFastSPICE(AFS)平臺。除此之外,Calibre和AnalogFastSPICE平臺已可應用在基于TSMC7奈米FinFET制程最新設計規(guī)則手冊(DRM)和SPICE模型的初期設計開發(fā)和IP設計。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201604/289225.htm

          為協(xié)助共同客戶能準備好使用先進制程做設計,為TSMC10奈米制程改進物理驗證工具,加速CalibrenmDRCsign-off工具的執(zhí)行時間,使其優(yōu)于去年初針對10奈米精確度進行認證時的工具執(zhí)行時間。CalibrenmLVS工具已可支援10奈米制程中新的元件參數(shù)抽取,以獲取更精準的SPICE模型和自熱模擬。同時,還提升了CalibrexACT解決方案的寄生參數(shù)精確度,并積極改善布局寄生參數(shù)抽取流程以滿足10奈米技術的要求。

          Calibre平臺還可幫助設計工程師提高設計可靠度和可制造性。在為10奈米制程電阻和電流密度檢查做了技術的改進后,現(xiàn)在TSMC倚賴CalibrePERC可靠性驗證解決方案做可靠度確認。在可制造性設計(DFM)方面,Mentor添加色彩感知填充和更精密的對齊和間距規(guī)則在CalibreYieldEnhancer工具的SmartFill功能中。此外,Mentor還優(yōu)化CalibreDESIGNrev協(xié)助晶片最后完工工具、CalibreRVE結果檢視器和CalibreRealTime介面,為設計工程師在多重曝光、版圖布局與電路圖(LVS)比較和電氣規(guī)則檢查(ERC)及可靠性驗證方面提供更容易整合和除錯功能。

          如今,Mentor和TSMC攜手合作,將Calibre平臺的多樣化功能應用至7奈米FinFET制程中。CalibrenmDRC和CalibrenmLVS工具業(yè)已通過客戶早期設計的驗證。TSMC和Mentor正擴大SmartFill和Calibre多重曝光功能的使用功能,為7奈米的制程需求提供技術支援。

          為獲得快速、準確的電路模擬,TSMC認證AFS平臺,包含AFSMega電路模擬器可用于TSMC10奈米V1.0制程。AFS平臺還通過最新版7奈米DRM和SPICE可用于早期設計開發(fā)。

          為支援10奈米制程先進的設計規(guī)則,Mentor增強包括Olympus-SoC系統(tǒng)在內的布局布線平臺,并且優(yōu)化其結果能與sign-off參數(shù)抽取和靜態(tài)時序分析工具有相關性。這項優(yōu)化也擴展至7奈米制程。



        關鍵詞: Mentor 7nm

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