武漢新芯存儲器芯片工廠動土 追趕三星不被看好

　　武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC)在28日動土，目標是當前最先進的3D NAND Flash，是中國公司真正走上自主生產半導體之路的里程碑。

　　以2014年數據來說，大陸芯片市場規模破兆元(人民幣，下同)，占全球芯片市場的50.7%，其中儲存芯片市場規模達2465.5億元，但該產業鏈在大陸是空白一片，全都仰賴進口。

　　核心芯片需自制

　　去年大陸國務院總理李克強就說，進口芯片的錢居然已跟石油差不多，就是在指責中國無法自產;不少業者也說，現在網路相關產品越來越多，為了確保資訊與國家安全，以及軍事使用，儲存的核心芯片必須自制。

　　所以在2014年啟動關于半導體的發展計畫后，也成立了國家集成電路產業基金公司(國家大基金)，今年更將其列為“十三五”規畫，并大力宣傳包括紫光集團、 中國電子、長電科技等，已是“芯片國家隊”，而武漢新芯則是補充儲存芯片這一塊空缺，選擇與美國Spansion合作，交叉授權發展3D NAND Flash技術。

　　武漢新芯營運長洪沨表示，3D NAND Flash將成為中國記憶體芯片產業彎道超車的切入點。

　　國際NAND Flash大廠比一比

　　恐淪懲罰性業務

　　武漢新芯拿到的是國家大基金和湖北與武漢的當地政府資金，公司高層很多來自中芯，外媒戲稱是“政府自己人”，目標對手是南韓三星，但分析師并不看好，認為起步已比三星晚很多，這一行投資成本極高，若做不到市占率第一，就很容易成為“懲罰性業務”。

　　外媒甚至以臺灣經驗為例，過去投入數百億美元仍以失敗作收，多家公司被對手收購，三星電子已能量產，若說技術可達64層，武漢新芯恐怕只有8層。

　　但臺灣業者要先擔心的是，大陸官方插手量產后造成的產能過剩價格戰，因武漢新芯最快明年量產，但各大記憶體廠也在加大相關產能投資，SK海力士擴充產能將于2019年投產，最近東芝也宣布3年擴產計畫。