中芯國際28nm HKMG工藝成功流片

　　中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際/SMIC)2月16日宣布，28nm HKMG(高介電常數金屬閘極)工藝已經成功流片。

　　中芯國際是中國大陸第一家能夠同時提供28nm PolySiON(多晶硅)、28nm HKMG工藝的晶圓代工企業。與傳統的PolySiON工藝相比，HKMG技術可有效改善驅動能力，進而提升晶體管的性能，同時大幅降低柵極漏電量。

　　與此同時聯芯科技宣布將基于中芯國際28nm HKMG工藝打造新的智能手機SoC芯片，包括移動處理器和基帶，CPU主頻達1.6GHz，目前已通過驗證，準備進入量產階段。

　　此外，中芯國際還將持續進行28nm技術平臺的開發及改善，預計2016年底推出基于HKMG工藝的緊湊加強型版本。