祝寧華：支撐光網絡發展的光電子器件研究

　　在2013光纖通信發展報告會上，中科院半導體研發所副主任祝寧華講述了《支撐光網絡發展的光電子器件研究現狀與趨勢》的報告，指出了光電子未來發展的四個趨勢：一是光電子集成，二是微電子與光電子的相互融合，三是硅基光電集成技術，四是多維調制與復用。重點強調未來光電子的發展趨勢會從單元器件向集成化芯片發展，其中40Gb/s將成為光接入的核心，另外也提出TWDM—PON將是未來發展的主流技術，而高速激光器的研發也將成為焦點。

　　高速光電子器件是實現高速光信息產生、傳輸、放大、探測、處理等功能的器件。光通信系統可分為骨干網、城域網和接入網三個層次。高速光電子器件在光通信系統的各個層次都有重要應用：高速光傳輸、大容量光交換、寬帶光接入和微波光子技術。為了實現更高速、更寬帶光通信傳輸系統，高速光電子器件呈現出三大發展趨勢：光電子集成，光電子與微電子的融合以及多維調制與復用。

　　高速光電子器件在光通信系統中作用以及發展趨勢和現狀，隨著光網絡和光通信技術向大容量、低功耗和智能化的方向發展，速率和能耗成為制約通信技術發展的兩大技術瓶頸。為了圖片這兩大瓶頸，新型高速光電子器件在光傳輸、光信息處理與交換、光接入以及光與無線融合等領域的關鍵環節發揮著越來越重要的作用。光電子集成、光電子與微電子的融合以及多維調制與復用將成為通信用光電子器件的三大發展趨勢。