高頻信號干擾

問：那么法國用戶的問題是如何解決的?

答：他們的問題用2只電阻器、三片電容器和一塊接地銅片便解決了問題。我們離 開La Cognette 飯店，凱旋而歸。

問：最后，請你講一下有關電源去耦問題。

答：所有精密模擬集成電路(IC)甚至低頻電路都含有截止頻率為幾百兆赫的晶體 管 。因此這些器件的電源必須對地去耦，在盡量靠近IC高頻處返回以防止在甚高頻情況下的不 穩定性。使用的這種去耦電容必須具有低自感而且其引線應該盡可能短(最好用10～100 nF 表面安裝陶瓷電容芯片，但其引腳長度如果小于2 mm一般最為有效，見圖165。)
低頻去耦也很重要，因為電源抑制(PSR)通常在直流條件下規定并且隨電源脈動頻率的 增加而明顯變壞。在某些高增益應用中，通過公共電源阻抗的反饋

理想的高頻去耦要求：

1．低電感電容器(單片陶瓷電容器)

2．靠緊集成電路安裝

3．短引腳電容器

4．短而寬的導電帶

使用鉭電解電容進行旁路可提供好的低頻去耦。

這種長引線沒有好處

能夠產生低頻不穩定(低音頻振蕩)。但對每個集成電路都進行低頻去耦，通常是沒有必要的 。 電源去耦不只是防止不穩定。運算放大器(至少)是有四個端子的器件，因為對于兩個信 號輸入端和一個信號輸出端來說肯定有一個返回路徑。習慣上把運算放大器的兩個電源(指 有正、負電源的運算放大器)的公共端看作輸出信號的返回路徑，但實際上，其中一個電源 將是真實的高頻返回路徑。所以對放大器這個電源端的去耦問題，必須既要考慮正常高頻去 耦又要考慮輸出地返回路徑的去耦。