Xilinx FPGA抗輻射設(shè)計技術(shù)研究
加入技術(shù)交流群
2 輻射效應(yīng)及其影響
空間電子設(shè)備由于其所處的軌道不同，受到的輻射影響也不相同，但是，總的來講對Xilinx FPGA影響比較大的輻射效應(yīng)主要有：總劑量效應(yīng)(TID：Total IonizingDose)、單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU：Single Event Upset)、單粒子閂鎖(SEL：Single Event Latch-up)、單粒子功能中斷(SEFI：Single Event Functional Interrupt)、單粒子燒毀(SEB：Single Event Burnout)、單粒子瞬態(tài)脈沖(SET：Single Event Tran-sient)、位移損傷(Displacement Damage)等。上述輻射效應(yīng)產(chǎn)生的機(jī)理不盡相同，引起FPGA的失效形式也不同。
FPGA的配置存儲器、DCM、CLB、塊存儲器對單粒子翻轉(zhuǎn)比較敏感，可通過TMR(三倍冗余法)、Scrubbing等來解決。
單粒子閉鎖會導(dǎo)致FPGA電流增大，局部溫度升高，有時甚至可以高達(dá)200℃上，如果FPGA長時間處于高溫狀態(tài)將導(dǎo)致器件的永久損壞。只有降低電源電壓才能退出閂鎖狀態(tài)，因此在檢測到單粒子閂鎖之后最好的辦法是斷開器件的電源。
FPGA中單粒子功能中斷的敏感部分為配置存儲器、上電復(fù)位電路(POR：power on reset)、
Select-MAP接口和JATAG接口，分別可通過Monitor the DONE pin、Read and Write to FAR、Read-back and compare to known CRC和toggling PROG等措施解決，對所有SEFI，Xilinx提供IP監(jiān)視和改正。
單粒子瞬態(tài)脈沖能引起FPGA內(nèi)部邏輯電路的短時錯誤，可通過TMR、Scrubbing等來解決。單粒子瞬態(tài)脈沖對于小于0．25 μm工藝的FPGA影響較大。
上述輻射效應(yīng)對FPGA造成的影響有的是永久性的，如總劑量效應(yīng)、單粒子燒毀、位移損傷；有的是能夠恢復(fù)的，如單粒子翻轉(zhuǎn)、單粒子功能中斷、單粒子瞬態(tài)脈沖。接下來根據(jù)對上述輻射影響的分析，研究提高FPGA抗輻射效應(yīng)的可靠性設(shè)計方法。
3 FPGA抗輻射效應(yīng)可靠性設(shè)計
FPGA抗輻射效應(yīng)可靠性設(shè)計可以從以下幾方面進(jìn)行考慮：FPGA整體設(shè)計加固考慮；散布內(nèi)部間接檢測輻射效應(yīng)的自檢模塊；引入外部高可靠性的電子器件在空間中不可避免地會受到輻射效應(yīng)監(jiān)測模塊等措施。
3．1 整體加固設(shè)計
在電子設(shè)備的外面一般采用一定厚度的材料對輻射進(jìn)行屏蔽，屏蔽可以減少設(shè)備所受的輻射效應(yīng)。不同的材料對不同的粒子有著不同的屏蔽性能，經(jīng)常采用的材料有鋁、鉭和脂類化合物等。整體屏蔽的辦法在航天電子設(shè)備中使用較多，也比較成熟。
結(jié)合我們實(shí)際，考慮整星及電控機(jī)箱的整體屏蔽效果，在軌高500km及四年工作壽命條件下，選器件耐輻射能力10～20krad(Si)以上。
3．2 冗余設(shè)計
冗余設(shè)計方法是被公認(rèn)為比較可靠的應(yīng)對輻射效應(yīng)的方法。常用的冗余設(shè)計有三倍冗余法(TMR：Triple Module Redundancy)和部分三倍冗余法(PTMR：PartialTriple Module Redundancy)。圖2所示為Xilinx推薦的三倍冗余設(shè)計邏輯，這種邏輯充分的考慮了SEU、SET產(chǎn)生的
影響。雖然TMR帶來了可靠性的提高，但是也會使模塊的速度降低(有的甚至低到原來的80％)、占用資源和功率增加(約為3．2倍)。本文引用地址：http://www.104case.com/article/191092.htm
TMR：Throughput Logic
簡單復(fù)制(Three copies of the original design-Logic and I／O)
TMR Tradeoffs(TMR折中方案)
設(shè)計時可以根據(jù)實(shí)際情況對關(guān)鍵部分使用部分三倍冗余法。全部邏輯和敏感端口三模冗余有時需要權(quán)衡做出折衷，如下表。
評論