TI 700-mW低電壓音頻功率放大器TPA711的特性及其應
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對于高性能應用場合，R1，RF選用金屬膜電阻，這樣可降低電路噪聲。當RF大于50 kΩ時，由于RF和MOS輸入回路容抗的作用，會使電路工作不穩定。這時可在RF兩端并一個5pF的電容。這樣RF，CF可形成一個低通濾波回路，回路的截止效率可由等式（7）決定。
（7）例如，當RF=100 kΩ，CF=5pF時，fco=318kHz，這足以超過音頻范圍。
5．輸入電容C1：
在實際應用中，C1可使TPA711的偏置電壓穩定，這對確保電路穩定工作很重要。在本例中，C1，R1形成一個高通濾波回路，其角頻率由方程（8）決定。
（8）電容C1的取值對穩定電路偏置電壓影響較大。當R1=10 kΩ時，為得到低至40Hz的平坦響應特性，可由等式（9）決定C1取值。
（9）在本例中，C1為0.40μF，實際應用中C1取值范圍為0.40μF～1μF。C1取值還要考慮的影響是通過R1，RF的漏電流，這個漏電流會在電路輸出端產生一個失調電壓，從而影響輸出功率，這點在高增益場合下的影響更明顯，所以實用中C1應選用鉭電容或瓷片電容。當使用有極性電容時，正極應接在電路的輸入端，這是因為輸入端的直流電位為VDD/2的原因，它比信號源的直流電壓要高，電容的極性要正確，這點在使用中很重要。
6．電源去耦電容CS：
TPA711是一個高性能的CMOS音頻放大器，為了使電路的總諧波失真盡可能低，則要求電源的去耦要好。電源的去耦還可以消除由于電路的揚聲器引線過長而引入的振蕩。比較好的去耦是采用不同類型的兩個電容并聯，小容量，低等效串聯電阻（ESR）的小容量電容用來吸收高頻噪聲干擾，如電火花，在引線上數字雜亂干擾躁聲等。而對濾除低頻噪聲信號，應選用鋁電解電容器，容量應大于10μF。
7．中路旁通電容CB：
電容CB有幾個作用：
1） 在電路啟動或由關斷模式的再啟動情況下，CB決定電路的啟動速率；
2） 可降低因輸出驅動信號耦合引起電源產生的噪聲信號；
3） 可減少電路啟動的撲撲聲。為使電路啟動撲撲聲盡量小，CB可由方程（10）決定：
(10)作為一個例子，取CB=2.2μF，C1=0.47μF，CF=50 kΩ，R1=10 kΩ，將這些值人入方程（10）得出：
本文引用地址：http://www.104case.com/article/188491.htm
可見滿足方程（10）。為使電路總諧波失真小，CB應該用等效串聯電阻ESR小的瓷片電容或鉭電容。
8．單端工作狀態
在單端（SE）工作狀態下（見圖9），負載由VO+驅載。在單端模式下，增益由等式（11）的RF，R1決定。
(11)
在SE模式下，輸出耦合電容的選擇也很重要，CC對電路其它元件的取值也有影響。它應滿足以下公式（12）。
(12)
9．輸出耦合電容CC：
在典型的單電源單端（SE）情況下，CC用來在電路輸出端與負載間隔直，電路的高通頻率由等式(13)決定。
(13)
電容CC的缺點是影響電路頻響的下限值，從而影響電路的低頻響應。為使下限頻率足夠低，CC取值應足夠大。一般對4Ω，8Ω，32Ω，47Ω的負載，CC應選用330μF以上。表3給出了不同的取值情況下，電路的頻響特性。
表3 單端輸入時負載阻抗與電路低頻特性間的關系
| RL | CC | 最低頻率響應 |
| 8 | 330μF | 60Hz |
| 32 | 330μF | 15Hz |
| 47000Ω | 330μF | 0．01Hz |
如表3所示，8Ω負載比較合適，耳機頻響特性也很好。
10．SE/BTL工作模式：
TPA711可以很方便地在SE和BTL工作模式下實現轉換，這是它最重要的特性，這對電路負載既有揚聲器又有耳機的場合下特別有用。當控制端SE/BTL為L時，電路工作于BTL模式，當SE/BTL為H時，電路工作于SE模式。SE/BTL的控制輸入可以是一個TTL邏輯電源，更常用的是采用圖9所示的電阻分壓網絡。
圖9 TPA711電阻分壓網絡電路
當耳機未插入時，耳機開關閉合，由100 kΩ電阻分壓網絡提供一個低電平SE/BTL端子，當耳機插入時，電阻1 kΩ切斷，分壓網絡為SE/BTL端子提供一個高電平，從而完成SE/BTL工作模式轉換。
11．采用低等效串聯電阻電容：
本電路所有電容都應采用低等效串聯電阻的電容，這對提高電路性能很有意義。
12．5V和3.3V工作：
TPA711可以在3.3V～5V范圍內正常工作。提供電壓不同，輸出功率不同。每個TPA711的動態范圍為（VDD-1）伏，而對3.3V工作電壓下，當VO（PP）=2.3V時，電路出現限幅，對5V供電，VO（PP）=4V時，電路出現限幅。
13．動態范圍和熱設計：
在正常工作狀態下，線性放大器會產生很大的功耗，對典型的CD需要12dB～15dB的動態范圍。對TPA711在5V供電電壓，負載為8Ω的情況下，它可以輸出700mW的峰值功率。現將功率值轉變為dB值。有：PdB=101gPw=101g700mW=-1.5dB
可得到無失真條件下的電路動態范圍
-1.5dB-15dB=-16.5(15dB的動態范圍)
-1.5dB-12dB=-13.5(12dB的動態范圍)
-1.5dB-9dB=-10.5(9dB的動態范圍)
-1.5dB-6dB=-7.5(6dB的動態范圍)
-1.5dB-3dB=-4.5(3dB的動態范圍)
再次將分貝值轉換為功率值：
Pw=10PDB/10
=22mW(15dB動態范圍)
=44mW(12dB動態范圍)
=88mW(9dB動態范圍)
=175mW(6dB動態范圍)
=350mW(3dB動態范圍)
表4給出了TPA711在額定功率5V，8Ω，BTL模式下的峰值輸出功率，平均輸出功率，功耗，最高環境溫度間的關系。
表4表明，TPA711可以在DGN封裝條件下不使用散熱片，在環境溫度高達110℃時輸出700Mw。D封裝下環境溫度34℃，不使用散熱片，輸出功率700Mw。
表 4
| 峰值輸出功率（mW） | 平均輸出功率 | 功耗（mW） | D封裝（SOIC） | DGW封裝(MSOP） |
| 最高環境溫度 | 最高環境溫度 | |||
| 700 | 700Mw | 675 | 34℃ | 110℃ |
| 700 | 350mW(3Db) | 595 | 47℃ | 115℃ |
| 700 | 176mW(6dB) | 475 | 68℃ | 122℃ |
| 700 | 88mW(9dB) | 350 | 89℃ | 125℃ |
| 700 | 44mW(12dB) | 225 | 111℃ | 125℃ |
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