基于多晶鑄錠工藝的準單晶技術系統性總結

　　2．準單晶量產決定性因素

　　（1）可行的工藝路線。如果開發出的準單晶沒有可行的工藝路線，準單晶產品將只能處于實驗室階段；

　　（2）是穩定的控制方法；

　　（3）精準熔化控制設備；

　　（4）低廉的改造成本及生產成本，即在原有鑄錠爐的基礎上實現轉型，從而降低成本。

五，工藝流程

工藝流程圖

　　將直拉法得到的（100）晶向單晶棒進行開方，得到斷面尺寸為156×156mm 的方柱，將其切成40～50mm 厚的塊狀籽晶。將25 塊籽晶按5×5 的方式緊密排列平鋪在內部尺寸為840×840×400mm 的標準石英坩堝內。在坩堝底部，放置時盡量使籽晶居中，即周邊籽晶的最邊沿面距坩堝內壁尺寸相近。籽晶上面再放置原生多晶，包括籽晶在內共裝料430kg，摻雜劑為硼、稼或磷，摻雜后目標晶體的電阻率為1.50～2.0Ω.cm。裝料后抽真空，控制功率進行加熱;進入熔化階段后，采用溫度控制分段加溫，到熔化最后一步將加熱器控制溫度調節至1540℃，保持至籽晶熔化階段，待坩堝底部溫度為1350℃，且底部升溫速率為0.07℃/min 上下時，結束熔化步驟，跳轉至長晶階段。進入長晶階段，快速將溫度由1540℃降至1440℃，并關閉隔熱板（籠）保持1h，之后將隔熱板（籠）快速打開5cm，底部散熱實現定向凝固，待界面生長平穩后，再分段將溫度降1415℃，隔熱板（籠）打開速度先后按0.5cm/h、0.7cm/h 的速度打開至20cm，達到穩定長晶。

　　將上述長成后的硅晶體，經退火、冷卻得到硅錠。