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        基于IR2136的無刷直流電機驅動電路的設計

        作者: 時間:2012-07-05 來源:網絡 收藏


        1.2.2 功率
        功率中,三相逆變橋有6個功率開關器件,若每個功率開關器件都采用獨立的電路驅動,則需要6個驅動電路,增加了電路的復雜性,可靠性下降。
        是功率MOSFET和IGBT專用柵極集成驅動電路,它可以驅動工作在母線電壓高達600 V的功率開關器件。它帶有3個獨立的高壓側和低壓側輸出通道,其內部采用自舉技術,僅需要一個直流電源,就可輸出6路功率開關器件的驅動脈沖,僅需要一個直流電源,使其實現了對功率MOSFET和IGBT的最優驅動,簡化了整個驅動電路的。而且驅動芯片內置死區電路,以及過流保護和欠壓保護等功能。的控制邏輯輸入和CMOS、LSTTL電平兼容,同時輸入帶有噪聲濾波器,使之有很好的噪聲抑制能力。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/176763.htm

        e.JPG


        IR2136驅動一個半橋的電路如圖4所示。其中,C1、VD分別為自舉電容和二極管,Rg為柵極串聯電阻。自舉電容C1用來給高壓側的MOSFET提供懸浮電源。一個半橋的高壓側管在導通前需要先對自舉電容C1充電,當C1兩端電壓超過閾值電壓MOSFET的柵極開啟電壓,高壓側MOSFET導通。
        根據要求,自舉電容必須能夠提供功率管導通時所需要的柵極電荷。自舉電容的最小要求一最小電荷要求為:
        i.jpg
        其中Qg為功率管充分導通時所需要的柵極電荷,Voc為懸浮電源絕對電壓,Vf自舉二極管的正向壓降,Vl為低壓側功率管的壓降。這里Qg=234 nC,Voc=15 V,Vf=1.3 V,Vl=0.7 V,C=1.08μF。這里選擇C=1μF。
        自舉二極管用于開關二極管的充放電過程。當高端IRFP260N管開啟時,自舉二極管必須承受著和IRFP260N漏極相同的電壓,所以二極管的反向承受電壓要大于母線電壓。充放電恢復時間極短,應選用快恢復二極管,以減少自舉電容向電源的回饋電荷。這里選用快恢復二極管FR107作為自舉二極管。FR107的反向恢復時間小于500 ns,反向工作峰值電壓1 000 V,正向峰值壓降小于1.3 V,常溫反向電流小于5μA,高溫反向峰值電流小于100μA。

        f.JPG


        采用IR2136驅動三相逆變橋的六個功率MOSFET的電路原理圖如圖5所示。IR2136內置了400 ns的死區時間,防止同一橋臂的上下2個MOSF ET管同時導通。

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